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全球首檔記憶體ETF橫空出世 對相關類股是喜還是憂？
【記者陳建彰╱台北報導】隨著AI熱潮席捲全球，市場對於AI基礎設施的關注焦點正從GPU轉向更根本的瓶頸—記憶體，在記憶體晶片市場備受關注之際，全球一檔直接押注全球記憶體晶片領域的ETF也應運而生。
上周四（4月2日），由Roundhil推出的記憶體晶片ETF—Roundhill Memory ETF（代號為DRAM）正式在美股上市，被定位為市場上首款「純記憶體ETF」。周一這檔ETF報29.16美元，漲1.40美元或5.04%。
身為市場首檔專注於投資記憶體晶片的ETF，DRAM ETF反映出目前記憶體市場的熱度。但也有不少投資人擔憂，這檔ETF可能會成為代表記憶體市場已過熱，會成為警示多頭的「反向賣出指標」。
外媒報導，根據公告訊息，DRAM ETF是一款主動式管理ETF，費率為0.65%，投資於一系列記憶體和儲存產品製造商，目前僅持有9檔股票。只有50%以上收入來自HBM、DRAM、NAND的晶片公司才能納入。
DRAM ETF重押3大DRAM巨頭
該ETF主要重押全球三大DRAM巨頭：美光科技（24.99%）、三星電子（24.22%）、SK海力士（23.83%），3者合計權重超過7成。其投資組合還納入Sandisk、日本鎧俠、西部電子、希捷以及台灣的南亞科和華邦電等記憶體大廠。
相較於傳統半導體ETF（涵蓋設計、設備、晶圓代工的廣泛配置），DRAM這檔ETF更強調專注於投資記憶體晶片相關企業，直接押注AI時代最關鍵的資料儲存與頻率需求。
對於美國本土投資人而言，既使SK海力士即將在美上市，但是其他一些記憶體股重要標的如三星電子，在海外上市，很難被其他ETF所羅列，投資管道較有限。
市場人士指出，DRAM ETF的誕生，實際上具有重要像徵意義，它不應僅僅被視為又一檔半導體主題ETF，真正重要的是，它代表資本市場首次將記憶體晶片從更廣泛的半導體領域中脫離出來，創造一個可以直接交易、推廣和定價的獨立主題。
任何主題進入ETF階段已代表市場過熱？
任何主題，一旦被命名、包裝並上市交易，就完成從工業邏輯到金融邏輯的飛躍。DRAM ETF的誕生正是這項轉變的代表。然而，任何被市場廣泛認可的敘事，一旦進入ETF階段，就必須面對一個令人不安的問題：現在是否已經過熱了？
一些機構根據歷史經驗認為，當一個細分行業變得足夠熱門、以至於催生出專門的ETF時，這通常顯示該行業的熱度已經進入相對後期的階段。BTIG首席市場技術分析師克林斯基就是這觀點的支持者。他指出，新推出的DRAM ETF可能正預示著記憶體周期即將達到高峰。
克林斯基指出，過去1年，高盛科技、媒體和電信（TMT）指數已經上漲350%，並在今年2月達到400%以上的漲幅高峰。而DRAM ETF直到現在才推出，這是一個明顯的「反向賣出訊號」。他直言，「如果歷史可以作為參考，現在正是你應該出售那些被人們記住的名字的時候。」
克林斯基列舉過去幾年內的幾檔專注於熱門主題的ETF，這些ETF都「以極其精準的方式發揮反向指標的作用」。例如，Roundhill Meme Stock ETF（股票代號MEME）於2021年12月推出，追蹤瑞銀的MEME股票指數。該ETF在2023年11月關閉前，累計跌幅超過70%。
DRAM ETF可能面臨回跌風險
另一個案例則是VanEck Vectors煤炭ETF，該ETF於2008年1月推出，主要追蹤道瓊煤炭指數，該ETF在2020年12月關閉前出現巨大跌幅，但道瓊斯煤炭指數自該ETF關閉之後，卻出現大幅上漲。
其餘類似的例子還有很多，例如2021年10月比特幣期貨ETF推出後，已累計下跌超過77%等等。
在這些「前車之鑑」下，克林斯基懷疑，DRAM ETF可能也會走上類似的道路，代表記憶體市場「正處於這波拋物線上漲的最後階段」。
他特別指出，DRAM ETF部位最高的股票美光科技，目前的股價已看起來高得驚人，其近期交易價格已比200日移動平均線高出150%以上，這是史上最大的價差，超過科技泡沫時期的任何情況，在這背景下，DRAM ETF很可能也將面臨市值大幅回落的風險。
