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二硫化鉬
突破「雙層二維半導體」應用限制　台師大團隊登上頂尖期刊《Nature》

突破「雙層二維半導體」應用限制　台師大團隊登上頂尖期刊《Nature》

【記者王良博／台北報導】在國科會支持下，台師大物理系教授藍彥文、陸亭樺與成大核心設施中心博士林光儀共同領導的研究團隊，成功以化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）精準控制二硫化鉬（MoS₂）雙層材料的原子堆疊方式，製備出具有特殊堆疊結構的雙層二硫化鉬，突破雙層二維半導體長期面臨的光電應用限制，研究成果發表於國際頂尖學術期刊《Nature》。
2026/10/02 11:41
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