台師大及國科會今（2）日均發布新聞稿，介紹這項研究成果。
台師大說明，這項研究四位通訊作者分別為台師大教授藍彥文、陸亭樺、博士後研究員楊弘偉及成大林光儀，研究團隊透過材料成長、原子尺度結構鑑定、光譜分析、第一原理計算及角解析光電子能譜（ARPES）等多種技術交叉驗證，建立從「原子堆疊」到「電子能帶」再到「光學與谷自由度」的完整物理圖像。
國科會表示，二硫化鉬（MoS₂）是代表性的二維半導體材料，具有原子級厚度與良好的電子、光學特性，被視為後摩爾時代先進電子與光電元件的重要候選材料。
單層二硫化鉬具有直接能隙，具有良好的光吸收與發光能力，然而，當材料堆疊成雙層時，常見的2H或3R堆疊會因層間作用改變電子能帶結構，使其轉為間接能隙，導致發光效率下降，成為雙層MoS₂發展光電與谷電子應用（valleytronic applications）的重要限制。
國科會指出，研究團隊發展兩階段化學氣相沉積成長方法，透過控制成長溫度與快速降溫，抑制成長中的原子重新排列為較穩定的3R堆疊，成功形成上下兩層高度對位的1H結構，由於不同堆疊方式會改變層間距離與原子軌域間的作用，進而影響電子能帶與光學性質，因此可在不改變材料成分的情況下，透過原子排列設計調控材料功能。
研究結果顯示，1H雙層二硫化鉬不僅展現不同於傳統雙層結構的電子能帶，也具有更強的發光表現與明顯的谷極化特性，此結果顯示，原子層之間的相對排列不僅影響電子結構，也會進一步改變材料與光的交互作用，對未來二維半導體光電元件與谷電子元件的設計具有重要意義。
藍彥文表示，這項研究最重要的發現，是二維材料的性質不只取決於「用了什麼材料」，兩層原子「怎麼排列」也很重要，研究團隊透過直接CVD成長，精準控制雙層二硫化鉬的堆疊方式，在不改變材料成分的情況下，就能重新調整它的電子能帶，讓雙層材料呈現直接能隙、較強的發光與谷極化特性。
他也提到，未來若能更進一步掌握成長條件與原子排列之間的關係，原子堆疊就有機會成為設計新型二維半導體與量子材料的重要工具。
