摘要重點
彭博報導，這家全球最大的記憶體晶片製造商8月4日在加州聖克拉拉舉行的NAND Flash技術盛會記憶體與儲存的未來（Future of Memory and Storage，FMS）大會，發布最新技術，這款名為zHBM的全新系統，凸顯三星致力於成為AI時代端到端基礎設施供應商的努力。
把記憶體垂直堆疊在AI加速器上方
三星在聲明中表示，其全新系統將高頻寬記憶體垂直堆疊在人工智慧加速器之上，效能約為下一代HBM5的八倍，將熱阻降低一半以上。該系統採用先進的晶圓鍵合（wafer-bonding）技術，記憶體密度也將達到HBM5的十倍以上，同時也支援客製化設計。
路透社指出，傳統的高頻寬記憶體通常與AI處理器並排放置，但三星的zHBM不同的是，把記憶體垂直堆疊在AI加速器上方，進而縮短資料傳輸距離，在提高頻寬的同時提升能源效率。
三星計劃在今年下半年提高HBM4的產量。但目前尚未公布HBM5或這項未來技術的明確時間表。
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首款V10 BV-NAND原型晶片
該公司也推出業界首款V10 BV-NAND原型晶片，該晶片擁有超過400層，並採用全新的晶圓鍵合架構，旨在提高儲存密度和效能。BV-NAND技術相比上一代的V9 NAND技術，儲存密度提高約58%，同時提升讀取、寫入和輸入/輸出性能，以滿足AI系統對更高容量和更節能儲存日益增長的需求。
同時，三星也推出基於其V-NAND技術的新一代NAND解決方案zNAND-O，據稱該方案能更好支援即時、資料密集的AI應用。
AI市場需求走勢強勁
三星上周披露，與客戶簽訂的長期協議最終可能佔其記憶體銷售額的60%至70%，進一步凸顯AI市場需求的強勁走勢。
彭博分析，三星此次技術革新正值記憶體市場競爭白熱化之際，這個市場規模接近1兆美元（約32.41兆元台幣）。三星正與SK海力士以及美國美光科技展開激烈角逐。隨著記憶體巨頭競相爭奪利潤豐厚的資料中心合約並擴大生產規模，搶先於競爭對手推出下一代架構對於贏得重要客戶極為重要。
