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聯發科法說2|闢謠延遲!二代ASIC預計2028問世 2028無疑是強勁成長年

聯發科法說2|闢謠延遲!二代ASIC預計2028問世 2028無疑是強勁成長年

【記者蕭文康/台北報導】聯發科(2454)今在法說會上針對市場高度關注的第二代ASIC及相關封裝策略,以及未來營運展望表示,關於外傳第二代ASIC設計延遲疑慮?副董事長暨執行長蔡力行明確表示,產品開發完全依照既定計畫推進,時程無重大變更,部分複雜晶粒已設計定案完成,預計2028年第1季正式推出高效能運算產品,而關於與英特爾在封裝領域EMIB的合作,強調公司並非單一依賴某家供應商,市場與客戶需求瞬息萬變,公司具備彈性,在多方合作下努力滿足不同客戶需求,確保未來營運及製程不受干擾。
三星提「CUBE」策略打造下一代3D記憶體與儲存解決方案 曝HBM5已著手開發

三星提「CUBE」策略打造下一代3D記憶體與儲存解決方案 曝HBM5已著手開發

【記者蕭文康/台北報導】三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi(崔璋石)今於SEMICON Taiwan 記憶體高峰論壇,以「開啟智慧新維度,以 3D 整合技術驅動 AI 時代」(The New Dimension of Intelligence. Powering the AI Era with 3D Integration)為主題進行演講。三星提出「CUBE」策略,以全面的半導體能力推動3D架構發展,打造下一代3D記憶體與儲存解決方案,包含zHBM及zNAND-O,解決AI資料中心及裝置端AI(on-device AI)不同環境下的瓶頸,大幅提升效能。
三星發布全新3D記憶體路線圖!效能為HBM5八倍 力爭AI技術領先地位

三星發布全新3D記憶體路線圖!效能為HBM5八倍 力爭AI技術領先地位

【編譯張翠蘭/綜合外電】南韓三星電子周二(8/4)發布新一代人工智慧(AI)儲存技術,展示其最先進的記憶體硬體,包括V10 Bonding V-NAND原型晶片,記憶體儲存密度提高約58%,並勾勒出全新3D記憶體路線圖,這款名為zHBM的新系統,把高頻寬記憶體垂直堆疊在AI加速器之上,效能約為下一代HBM5的八倍。三星力圖在長期市場競爭中超越競爭對手SK海力士和美光科技,贏得市場主導地位。
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