「Z 軸」釋放AI能力
他分析，三星的CUBE最佳化架構聚焦Capacity（容量）、Utilization（利用率）、Bandwidth（頻寬）、Efficiency（效率）四大關鍵面向：Capacity：透過垂直擴展，在不增加印刷電路板面積的情況下提升容量。Utilization：3D不是單純的堆疊，而是架構的優化，透過最佳化邏輯晶片與記憶體的配置，降低延遲。Bandwidth：縮短晶片之間的距離，以垂直的高速通道取代水平傳輸，大幅提升頻寬。Efficiency：聚焦在功耗與散熱技術，將單一位元數據傳輸所需的能耗降到最低，最大化每瓦效能（Performance per Watt）。
HBM演進，展現容量、頻寬、功耗及散熱管理的突破
崔璋石表示，三星HBM4E於今年五月，三星開始出貨業界首款12層HBM4E樣品。當每個GPU配置4個HBM4E堆疊時，系統可提供高達16 TB/s的頻寬。比起HBM4，HBM4E每瓦效能提升20%，熱阻降低10%。
他並透露，HBM5已著手開發，相較於HBM4E，HBM5目標是效能提高2倍，每瓦效能提升20%，熱阻降低20%。
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架構創新2.5D → 3D 三星突破性的3D記憶體架構zHBM
傳統的HBM採2.5D架構，將記憶體與處理器並排放置，為了縮短兩者之間資料傳輸的距離，三星以全新架構開發出zHBM，將記憶體直接堆疊在處理器之上，透過大幅縮短資料傳輸的距離，實現效能與能源效率的躍進。這種從2.5D到垂直3D整合的轉變，重塑了記憶體與運算晶片的互動方式。
對比HBM4E，zHBM的目標是將效能最高提升8倍、每瓦效能提升3倍，熱阻降低75%~90%。
zNAND-O採用3D封裝技術 計劃於2028年推出樣品
崔璋石說，三星自2013年推出全球首款垂直結構V-NAND快閃記憶體以來，技術世代的演進推動了容量與效能的升級，而三星最新一代的V10 技術，專為滿足AI時代高容量、高效能和低功耗的需求而生，採用全新的鍵合（Bonding）技術，位元密度（bit density）比前一代大幅提高58%，I/O速度提升33%，功耗下降25-26%。
三星進一步提出3D儲存解決方案zNAND-O，結合了V10 BV-NAND以及直通矽晶穿孔（Through Silicon Via，TSV）技術。zNAND-O採用3D封裝技術，透過TSV垂直堆疊多個V-NAND晶片。zNAND-O與神經網路處理器（NPU）透過UCIe標準介面，整合在單一封裝之中，可滿足嚴苛的 AI 工作負載所需要的擴展性與頻寬。
zNAND-O針對裝置端AI需求而設計，位元密度為DRAM的10倍，讀取頻寬為傳統NAND Flash的7倍。三星宣布，計劃於2028年開始推出zNAND-O樣品。
先進鍵合技術助力3D堆疊
三星採用晶圓對晶圓鍵合（Wafer-on-Wafer Bonding），突破間距的限制，以及透過混合銅鍵合（Hybrid Copper Bonding，HCB），降低熱阻。
產業趨勢正走向Agentic AI，系統能夠自主地採取行動並進行推理，這仰賴即時的回應能力，2D架構難以滿足，因此重新思考晶片的 3D 結構至關重要。三星具備從記憶體、邏輯晶片、晶圓代工到先進封裝，整合式設計與優化的獨特實力，台灣生態系同樣展現了這種卓越整合的精神，下世代的 3D-IC 必須兼顧結構穩定與散熱設計，三星很榮幸與世界級的台灣半導體夥伴們合作，一同釋放 3D 運算真正的潛力。
