EXE:5200B達成每小時135片晶圓（WPH）生產力、已有10台High NA EUV投入運作
根據最新數據顯示，全球ASML EXE系統累計曝光晶圓數已突破135萬片，隨著客戶使用量持續成長，整體生產體系正加速系統學習並為高量產做足準備。首先，經過認證的EXE:5200B型號，目前已在驗收測試階段達成每小時135片晶圓（WPH）生產力，展現支援高量產的能力。目前已有4家客戶完成共10台High NA EUV裝機並投入運作，另有3台系統正在出貨及裝機。
全球High NA EUV可用率已提升至84%並朝93%的目標改善
High NA EUV系統在機台間疊對（overlay）精度與對焦表現均具備優異穩定性，符合量產環境的嚴苛需求。另外，全球High NA EUV機隊的可用率已提升至84%，並積極朝93%的目標持續改善。這些成果皆得益於ASML將既有NXE平台累積的經驗導入EXE系統，強化診斷能力並有效避免重複性問題，進一步提升整體系統的穩定運作。
ASML進一步說明，High NA EUV技術已成功進入先進製程的實際應用階段，並締造重要里程碑，首次應用於高量產邏輯產品領域，顯示其高度成熟性。業界普遍視High NA為下世代半導體製造中關鍵的微影技術里程碑，能夠持續支援未來製程的微縮需求。在2D DRAM製程的微縮方面，High NA EUV的成像能力足以支援未來約五個製程節點的技術延伸，展現其廣泛的應用潛力。
🔗 延伸閱讀《ASML大方發2萬歐元股票！信件內容曝光 台灣員工首次獲此獎勵》
🔗 延伸閱讀《ASML財報亮眼！調高全年營收及毛利率目標 盤前股價大漲逾5%》
🔗 延伸閱讀《ASML最新EUV設備價格太貴了 台積電將暫緩採用》
0.55 NA的單次曝光技術
此外，0.55 NA的單次曝光技術進一步提升了製程的經濟效益，使得High NA EUV能增加採用單次曝光圖形化的製程層數，替代過往較為複雜的多重電路圖影像製程，降低先進製程的複雜度與成本。單次曝光方式抓緊持續微縮的小線距特性，不僅增強製程能力，更兼顧經濟效益，推動半導體產業的效能與成本優化。
在技術優化方面，EXE系統持續提升對焦控制能力，維持與NXE相當的高品質對焦。運用晶片調平演算法、對焦修正機制及148毫米晶圓夾具設計，對焦容許範圍可拓展至30納米以上，有效解決半曝光視場的挑戰。
High NA EUV可利用175微米拼接補償區域提升設計彈性，尤其在DRAM應用中，針對奇數列設計的晶片採用拼接技術，有效支援不同晶片版圖需求。High NA EUV不僅提升微影解析度，更為2D晶片版圖設計開創新空間。藉由較高解析能力提升邏輯單元密度，可加速邏輯製程的微縮進程。
同時，High NA技術協助優化晶片內互連布線，有機率降低所需金屬層數，為半導體設計帶來更大彈性與效率。 在生產力提升方面，ASML計劃持續強化EXE平台，從現有的EXE:5200B提升至下一代EXE:5400E機台。此一目標涵蓋多項系統改良，包括提升EUV光源效能、提升晶圓搬運效率、導入PEP（Production Enhancing Procedures）相關方案，以及降低系統運作期間非必要耗損與效率不彰的環節。
技術路線圖目標是在2029年底前將驗收測試產能從每小時135片晶圓提升至180片
ASML技術路線圖目標是在本10年內（2029年底前）將驗收測試產能從每小時135片晶圓提升至180片，這包含提升單片晶圓層級EUV光源功率及加快晶圓與光罩的搬運速度兩大關鍵發展。
面對長期發展需求，ASML已建立完整的0.55 NA EUV技術路線圖，打造穩定且可延展的平台架構，以支持未來先進製程的演進。High NA EUV平台預計能維持超過10年穩定的系統架構，並持續透過生產力提升強化系統能力。結合更高的解析度、單次曝光技術、持續優化的生產力及設計彈性，High NA EUV無疑將是半導體產業未來長期微縮需求之重要支柱。
整體而言，High NA EUV技術的成熟與商用化推進展示了半導體產業突破既有技術瓶頸的能力，不僅助力先進製程微縮，更推動下一代晶片設計與製造生態的革新。隨著產能穩定及系統效能持續提升，High NA EUV預期將成為邁向未來半導體製造的重要動力，引領晶片產業迎向更高效能與更低成本的發展新紀元。
