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ASML最新EUV設備價格太貴了 台積電將暫緩採用

圖為ASML高數值孔徑極紫外光微影設備(High NA EUV)。ASML提供 zoomin
圖為ASML高數值孔徑極紫外光微影設備(High NA EUV)。ASML提供
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【財經中心╱台北報導】台積電周三發布其A13晶片技術,計劃在不升級到ASML最新高數值孔徑極紫外微影(High-NA EUV)技術的情況下,製造更小、更快的處理器。

ASML最新的高數值孔徑極紫外光微影設備超過4.1億美元(近130億台幣),約為舊款EUV價格的2倍。台積電業務開發資深副總張曉強表示,新一代EUV非常非常昂貴,公司將繼續使用現有的極紫外光微影技術。

他也強調,台積電在研發方面做得非常出色,既充分利用了現有的極紫外光刻技術,又制定積極的技術擴展路線圖,這絕對是台積電的優勢。

恐對ASML營運帶來挑戰

外媒報導,這項決定可能為ASML業務帶來挑戰,ASML原預計高數值孔徑EUV將在2027年和2028年進入大規模量產階段,並在2030年實現高達600億歐元的營收。

隨著晶片規模的不斷擴大,成本和先進封裝技術的重要性可能正與微影技術不相上下,成本已成為台積電目前研發新技術時的重要考量。台積電將A13製程描述為A14製程的縮小版,在保持A14設計規則不變的情況下,面積縮小了6%。這項製程將主要用於製造AI晶片。

同時,該公司也推出N2U工藝,這是一種2奈米製程的變體,預計將於2028年推出,目標是與N2P工藝相比,速度提高3~4%或功耗降低8~10%。N2U是一種更具成本效益的選擇,可用於製造手機和筆電晶片以及AI晶片。

台積電展示將複雜AI晶片拼接的新技術計劃

然而,小型化和高速化晶片帶來的性能提升有限。台積電也展示將複雜AI晶片拼接在一起的新技術計劃,分析師預計,未來幾年,像輝達這樣的公司將從這項新技術中獲得最大的性能提升。

目前,像輝達的Vera Rubin這樣的AI產品包含2顆大型運算晶片和8組高頻寬記憶體堆疊。而台積電周三表示,到2028年,它將具備將10顆大型晶片和20組記憶體堆疊在一起的能力。

這將使晶片的功率和性能得以提升,但諮詢公司More Than Moore的分析師Ian Cutress指出,大型晶片封裝可能彎曲和破裂,這是輝達Rubin AI處理器遇到的問題,但台積電未就此問題進行說明。

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# ASML # 台積電 # High-NA EUV