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聯電股東會1｜通過2.85元股息 與英特爾12奈米合作2027年量產
【記者蕭文康／新竹報導】聯電（2303）今舉行股東會，通過2024年財報及2.85元股息案。聯電共同總經理王石表示，展望未來，雖然地緣政治和產能過剩仍然是挑戰，但終端市場庫存調整的不均現象有望逐步緩解，同時AI的應用也將為我們帶來新的機遇，聯電將在現有基礎上持續扎根，專注於技術研發、多元產能、卓越製造和永續淨零的準備，致力為每位股東提供穩健的回報與持續的成長機會。
多元製造及布局、與英特爾合作共同開發12奈米平台順利推進
王石說，對聯電而言，2024年是策略佈局的重要一年，在技術開發、多元製造基地及未來AI市場應用方面均取得顯著進展。另與英特爾（Intel）合作共同開發的12奈米平台順利推進，為客戶提供先進技術藍圖，並在特殊製程開發中鞏固市場領先地位，避開產能過剩壓力。同時，聯電積極佈局先進封裝技術，以迎接AI與邊緣運算時代。
聯電長期致力於多元製造基地的佈局，這成為聯電的差異化優勢。台灣、新加坡、日本和中國大陸的生產基地為客戶提供彈性供應鏈選擇。隨著新加坡P3擴廠的完成，及與英特爾在美國亞利桑那州的量產計畫，聯電將在多變的地緣政治環境中提供更多選擇與服務。
此外，聯電在數位轉型、卓越製造、企業永續及淨零排放方面也不遺餘力。台南Fab 12A導入工業4.0後，提升生產效率和品質，並獲得世界經濟論壇（World Economic Forum）的燈塔工廠（Global Lighthouse）認證，肯定我們邁向智慧製造的成果。在淨零排放方面，聯電持續推動節能減碳，佈局再生能源，穩健朝向2050年淨零排放及全面使用再生能源（RE100）的目標邁進。
聯電去年每股賺3.8元、資本支出29億美元
2024年聯電的晶圓代工年出貨量達到344萬6千片約當12吋晶圓，年營收為2,323億元，毛利率為32.6%，營業利益率為22.2%。歸屬母公司的全年獲利達472億元，每股純益3.80元。資本支出約為美元29億元，主要用於台南Fab 12A、新加坡Fab 12i與中國Fab 12X的產能擴充，及各廠產品組合的優化，這些擴建項目將有助於聯電兼顧長期獲利能力與市占率的穩健成長。製程技術研發
2024年，聯電研發投入達到156億元，專注於開發5G通訊、人工智慧、物聯網及車用電子等領域所需的製程技術。隨著業界逐步向28奈米邁進，聯電在12奈米和14奈米特殊製程及3D IC先進封裝的研發變得至關重要，以保持領先並實1. 12奈米FinFET製程技術平台（12FFC）：此平台相較於14FFC，晶片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用於各種半導體產品。
與英特爾合作預計2026年完成開發並驗證
聯電與英特爾在美國合作開發12奈米FinFET製程，是聯電追求成本效益產能擴張及技術升級的重要策略。目前，12奈米合作進展順利，客戶對其商機持樂觀態度，並認為聯電的12奈米性能極具競爭力。此合作將協助客戶升級至關鍵技術節點，提升北美市場供應鏈韌性，預計於2026年完成製程開發並通過驗證。
在技術製程方面，14奈米FinFET嵌入式高壓製程技術平台（14eHV）：此平台的晶片性能相較於28eHV大幅提升，尺寸更小，能降低耗能超過40%，並應用於顯示器驅動晶片，提供更高解析度及更新速率。
22奈米影像訊號處理器（22ISP）：此技術已於2024年導入量產，成為客戶首款採用22奈米製程的產品，不僅提升效能，還大幅降低功耗，為客戶帶來更佳的市場競爭力以鞏固其領先地位。
28奈米嵌入式高壓低功耗製程平台（28eHV-LP）：此平台已於民國113年完成開發，適用於AMOLED面板顯示器驅動IC，能在不影響圖像畫質或資料速率的情況下，降低耗能達15%，預計於2025年量產。
28奈米非揮發性記憶體製程平台（28ESF4）及22奈米電阻式記憶體製程平台（22RRAM）：這兩個平台已完成通用及物聯網微處理器的驗證，其中28ESF4經過製程優化，更達到車用晶片的規格，能廣泛供應於車用電子市場。
2.5D封裝晶片已完成產品驗證並進入試產
在先進封裝技術方面：在移動設備的射頻（RFSOI）元件方面利用晶圓級混合鍵合技術（W2W hybrid bonding）實現尺寸微縮，已完成產品驗證，預計於2025年進入量產；在邊緣人工智慧（Edge AI）方面，與供應鏈建立W2W 3D IC專案，進入邏輯晶片與客製化記憶體的異質整合驗證；在高效能運算（HPC）與雲端人工智慧（Cloud AI）方面，成功在矽中介層中加入深溝槽電容（Deep Trench Capacitor, DTC），為2.5D封裝晶片提供優異的電源完整性，已完成產品驗證並進入試產。
氮化鎵（GaN）元件製程：成功研發氮化鎵射頻（RF）元件及氮化鎵功率元件製程，其中氮化鎵射頻開關元件製程已進入量產，氮化鎵射頻功率放大器（PA）元件製程及氮化鎵650V功率元件製程皆已進入客戶產品驗證和試產階段。
