三星發布全新3D記憶體路線圖！效能為HBM5八倍　力爭AI技術領先地位

【編譯張翠蘭／綜合外電】南韓三星電子周二（8/4）發布新一代人工智慧（AI）儲存技術，展示其最先進的記憶體硬體，包括V10 Bonding V-NAND原型晶片，記憶體儲存密度提高約58%，並勾勒出全新3D記憶體路線圖，這款名為zHBM的新系統，把高頻寬記憶體垂直堆疊在AI加速器之上，效能約為下一代HBM5的八倍。三星力圖在長期市場競爭中超越競爭對手SK海力士和美光科技，贏得市場主導地位。
2026/08/05 09:01
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