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長鑫存儲傳DRAM技術重大突破 嚇壞台系記憶體廠!旺宏、南亞科及華邦電均殺逾7%

長鑫存儲傳DRAM技術重大突破 嚇壞台系記憶體廠!旺宏、南亞科及華邦電均殺逾7%

【記者蕭文康/台北報導】由於中國記憶體大廠長鑫存儲宣布新一代4F² DRAM架構取得技術突破的消息,不僅讓韓系記憶體大廠股價下挫,也帶動台系記憶體廠股價崩跌,其中又以旺宏(2337)跌逾7.79%最慘、其次是南亞科(2408)下跌7.4%及華邦電(2344)下跌7.18%。雖法人認為,長鑫存儲雖新一代製程技術短期內對於供給不會有影響,但中國記憶體廠在技術上急起直追,讓市場憂心2028年之後的市場變化,是否提早出現泡沫。
長鑫存儲技術突破進逼! 韓記憶體雙雄三星、SK海力士股價急瀉8%

長鑫存儲技術突破進逼! 韓記憶體雙雄三星、SK海力士股價急瀉8%

【編譯張翠蘭/綜合外電】受到中國記憶體廠的技術直追,加上市場對人工智慧(AI)過熱的擔憂加劇,全球半導體股跌勢加劇,導致南韓晶片股為主的基準股指下跌,三星電子和SK海力士的股價周二(10/13)均下跌超過8%。分析指出,市場對AI周期能否持續到2028年及以後的不確定性,似乎正在對南韓晶片製造商的估值和股價構成壓力。
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