【記者李宜儒／台北報導】因應電動車的高壓高電流所需，出現了第三代半導體。鴻海（2317）旗下鴻海研究院前瞻技術研發再度傳出捷報！鴻海研究院半導體所所長暨國立陽明交通大學講座教授郭浩中及半導體所研究團隊，攜手陽明交大電子所洪瑞華教授團隊，在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破。
鴻海表示，研究團隊提高了第四代半導體氧化鎵（Ga2O3）在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能，並已發表於國際頂級材料科學期刊Materials Today Advances（MATER TODAY ADV）。
第四代半導體氧化鎵（Ga2O3）因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。此次鴻海研究院與陽明交大電子所通力合作，以創新的離子佈植技術成功製造出具備優異電性表現的氧化鎵PN二極體（PN diode）。利用磷離子佈植和快速熱退火技術實現了第四代半導體P型Ga2O3的製造，並在其上重新生長N型和N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3二極體。這一突破性技術除了能大幅提升元件的穩定性和可靠性，並顯著降低電阻。
鴻海表示，氧化鎵元件將有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化矽元件競爭。目前，中國、日本和美國在氧化鎵研究領域處於領先地位。日本已實現 4 英寸和 6 英寸氧化鎵晶圓的產業化，而中國多家科研機構和企業也在積極推進相關研究與產品開發。
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