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降低台灣地緣政治風險！ 美光擬砸逾3000億在日興建HBM晶片廠
出版時間：2025/11/29 17:32
【記者李宜儒／台北報導】美國晶片廠美光計畫將斥資96億美元（約3014億台幣）在日本西部建設一座下一代記憶體晶片生產廠，預計生產下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片，日經新聞報導，美光的目的是要讓先進晶片生產多元化，不再集中於台灣，在地緣政治風險日益加劇，讓日本成為台灣齊名的尖端半導體生產中心。
美光廣島廠今年5月首次引入EUV設備
美光計畫將於2026年5月在東廣島市的廣島工廠內開始建造新廠，目標是在2028年左右開始生產HBM晶片。而日本經濟產業省也將為提供達5,000億日圓（約新台幣1000億元）的補貼。而目前美光HBM晶片的生產主要是集中在台灣。
據了解，美光廣島工廠在今年5月首次引入了極紫外光刻（EUV）設備，該設備將使美光廣島廠成為最先進的HBM晶片生產基地之一，並讓美光能夠追趕在在HBM技術領域保持領先優勢的韓國廠商SK海力士。
日本政府大力建立高階晶片供應鏈
因應美中對抗和可能涉及台灣的軍事突發事件等地緣政治風險不斷增加，讓美光決定增加日本人工智慧系統關鍵組件的供應技術及能力。
日本政府也正加大力道來建立高階晶片供應鏈，其中預計到2030年，將提供給半導體和人工智慧系統廠商超過10兆日圓的補貼，目前包括台積電及日本晶片製造商鎧俠，都獲得日本政府的工廠建設補貼。
報導指出，日本經濟產業省對美光的補貼總額將達7745億日圓（約新台幣1585億台幣），主要是美光決定從2023年以來陸續在廣島工廠投資達2兆日圓（約4094億台幣）。
