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NEO宣布3D X-DRAM完成概念驗證 施振榮也參與策略性投資
【記者李宜儒／台北報導】由矽谷華人許富菖創立的記憶體設計公司NEO Semiconductor今日宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM™已完成概念驗證（Proof of Concept, POC）。NEO同時宣布，已獲得由宏碁創辦人施振榮領軍的策略性投資，將用於後續技術研發與產品化推進。
可望應用於高頻寬記憶體、人工智慧、高效能運算等領域
NEO表示，3D X-DRAM 採用記憶體單元垂直整合架構，突破傳統記憶體容量擴展限制。該技術可望應用於高頻寬記憶體（HBM）、DDR，以及人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）等領域。相較於現行 HBM 需逐層堆疊 DRAM 晶片的方式，NEO的創新做法如同「千層糕」，更接近「一體成形」的3D結構，有助於提升整合效率並優化成本。
讓台灣記憶體產業能有更大影響力
施振榮表示：「很高興矽谷華人在此領域的創新技術有所突破，在NEO與陽明交大(NYCU)產學創新研究學院(IAIS)及國家實驗研究院台灣半導體研究中心(NIAR-TSRI)攜手合作下，期待借重台灣的半導體產業的基礎與實力，把這項創新技術商品化，將台灣在記憶體產業的設計能力缺口給補起來，讓台灣在記憶體產業也能對全世界有更大的影響力。」
NEO指出，本輪資金已成功支持POC開發，未來將持續推進多層記憶體架構優化，以及與國際記憶體廠商的合作拓展。目前公司已與多家半導體廠商展開交流，推動 3D DRAM 技術朝實際產業應用邁進。
本次測試晶片由NEO與陽明交大產學創新研究學院共同開發，並於國家實驗研究院台灣半導體研究中心完成製作與測試。NEO表示，元件已完成電性與可靠度驗證，關鍵性能指標達DRAM等級，並展現邁向量產的潛力。
驗證以成熟製程實現先進記憶體技術的可行性
陽明交大資深副校長暨產學創新研究學院（IAIS）院長、台積電前技術長孫元成表示：「此次合作成果展現產學合作的價值，並成功驗證NEO的新型記憶體架構在實際製程條件下的可行性，對推動下一世代記憶體技術具有重要意義，同時也凸顯台灣在半導體研發與驗證上的整合優勢。IAIS 將持續透過「產學共創」機制，推動台灣在創新技術與人才培育的長期發展。」
3D X-DRAM 的概念驗證，不僅展現創新記憶體架構的潛力，也驗證以成熟製程實現先進記憶體技術的可行性。隨著 AI 與高效能運算需求快速成長，記憶體容量與頻寬已成為系統效能的關鍵瓶頸，NEO 強調，3D X-DRAM 有潛力成為下一世代 AI 記憶體的關鍵技術。
