廣告

周末精選|記憶體股價本周震盪劇烈 缺貨未緩解漲價趨勢將延續到2027年

出版時間:2026/01/24 07:00
財經 產業脈動
克里夫 文章
力積電銅鑼廠落成典禮。資料照。蕭文康攝 zoomin
力積電銅鑼廠落成典禮。資料照。蕭文康攝
分享 分享 連結 訂閱 APP

【記者蕭文康/台北報導】記憶體股本周在17日美光18億美元收購力積電銅鑼廠消息帶動下,類股本周一出現同步飆漲。隨後外電傳美國可能課記憶體產品100%關稅利空衝擊,導致南亞科等股價一度重挫,記憶體股在本周表現可說是多空交戰。不過,法人及業界仍普遍看好至2027年記憶體供不應求,受AI及高效能運算需求推升,DRAM與NAND Flash價格與產值持續攀升,記憶體市場展望依舊穩健。

力積電銅鑼廠以18億美元售予美光科技股價飆漲停

力積電(6770)銅鑼廠17日宣布以18億美元(約569.21億新台幣)售予美光科技,交易預計將於2026年第2季完成,19日盤股價跳空漲停至62元,大漲5.6元,激勵南亞科(2408)、華邦電(2344)、旺宏(2337)、宜鼎(5289)、品安(8088)也都攻上漲停價位,使得記憶體位居19日台股表現最強勢的族群。

 

美光與技術授權力積電說法反覆股價震盪

針對市場傳出,美光買下力積電(6770)苗栗銅鑼廠後,美光將授權力積電1y奈米DRAM技術,不過,力積電發言人譚仲民卻在19日晚在重訊中表示,根據公司與美光1月17日同步公布的意向書,「有關售廠及其他合作事宜,仍待後續協商、簽約之後,方可正式確定,為免外界被臆測性新聞誤導,特此澄清」。

到21日,力積電改口,根據雙方已簽署的意向書,美光除將長期提供DRAM後段先進封裝代工服務之外,美光也將協助力積電P3廠的DRAM製程精進,這項技術提升計畫的快速執行,將能讓力積電的DRAM代工製程穩健推進,除將協助國內、外記憶體設計業者發展容量更高、速度更快的高規格產品,同時也將使該公司的WOW(晶圓堆疊)的代工服務更具競爭力,滿足大型終端客戶在 AI 應用的需求。

圖為南亞科DRAM產品。翻攝南亞科官網 zoomin
圖為南亞科DRAM產品。翻攝南亞科官網

南亞科Q4財報亮眼及未來展望佳

南亞科周一的法說會上,釋出亮麗財報及不錯的展望,其中,2025年第4季營收300.94億元,季增60.3%,稅後淨利110.83億元,每股純益3.58元,全年每股純益2.13元,歷經2年後順利轉虧為盈。

針對市況方面,總經理李培瑛樂觀表示,DRAM價格第1季漲幅會往上漲但會低於上季的成長30位數百分比,同時今年資本支出將由去年的134億元大幅調高至500億元,而新廠預計在2027年上半年底進入量產。

南亞科資本支出大幅調高至500億元、新廠預計在2027年上半年底進入量產

針對今年資本支出方面,李培瑛指出,董事會原通過2025年資本支出預算上限196億元,實際支出134億元,其中62億元,將遞延至2026年。2026年資本支出預計約500億元,尚待董事會決議核准。李培瑛進一步說明,500億除了去年遞延的62億以外,剩下的400多億,大概有70%左右是用在新廠的廠務設施、無塵室設施這些,另外30%是用在設備部分。

在新產品及新製程方面,他說,南亞科持續深化多元產品佈局,128GB DDR5 RDIMM 5600/6400已通過功能性測試,Mono-die 速度達7200 Mb/s,同時並持續優化DDR4與LPDD4的供應,以滿足消費市場需求。在技術與產能規劃上,10奈米級第三代製程(1C)、第四代製程(1D)與客製化AI專案皆如期進行;新廠則預計於2027年年初開始裝機,上半年底量產,2萬片產能約在2028年,以提供具競爭力的下一世代記憶體解決方案。

 

 

南亞科今舉行線上法說會。圖為總經理李培瑛。取自直播畫面 zoomin
南亞科今舉行線上法說會。圖為總經理李培瑛。取自直播畫面

外資點名南亞科及華邦電「大麻煩」股價重挫

不過,由於外媒點名美國有意對未赴美設廠的廠記憶體公司課100%關稅,南亞科和華邦電可能有「大麻煩」,造成今南亞科周二(20日)開盤一度被慣到跌停247.5元,華邦電(2344)最低來到105.5元,下跌6元。

南亞科無赴美設廠計畫、半導體關稅是否影響還不能下定論

由於市場關注南亞科是否會受到美國232調查影響,有沒有赴美國設廠計畫以及如何因應未來半導體關稅議題,對此,南亞科總經理李培瑛強調,公司目前並沒有赴美投資建廠的計畫。

另對於半導體關稅方面,他認為,整個半導體關稅是一個動態的變化,所以不能很快下結論說這對台灣的DRAM廠有什麼影響。他也提到,這跟台積電比較有關係,可以去問台積電董事長魏哲家的看法。

南亞科及華邦電美國客戶佔比僅個位數

法人指出,據南亞科已公布2024年第3季財報顯示,直接銷往美國客戶的比例僅2.67%,華邦電銷美比重更僅約1.96%,未來半導體關稅對這二家營運影響其實不大。

南亞科目前DDR5佔比目前是十幾個百分比,DDR3大概在20%左右,剩下都是DDR4跟Low Power DDR4,2026年會動態去調整,不一定會跟現在的狀況一樣。

AI運算架構升級推升記憶體市場旺到2027年

由於AI的創新帶來市場結構性變化,資料的存取量持續擴大,除了仰賴高頻寬、大容量且低延遲的DRAM產品配置,以支撐大型模型參數存取、長序列推理與多任務並行運作之外,NAND Flash也是高速資料流動的關鍵基礎元件,因此記憶體已成為AI基礎架構中不可或缺的關鍵資源,更成為CSP的兵家必爭之地。

根據全球市場研究機構TrendForce最新研究,在有限的產能之下必須達成更多的分配,帶動報價不斷上漲,連帶使得整體記憶體產業產值逐年創高,預估2026年達5516億美元,2027年則將再創高峰達8427億美元,年增53%。

圖為美光HBM4。翻攝官網 zoomin
圖為美光HBM4。翻攝官網

DRAM在2025年產值1657億美元、年增73%

TrendForce最觀察,DRAM領域,2025年受地緣政治與總體經濟不確定因素影響,上半年終端市場態度偏向保守,尤其消費性應用復甦力道有限。然而,隨著市場方向逐漸明朗,2025下半年北美雲端服務供應商(CSP)加大資本支出,AI伺服器建置明顯提速、記憶體採購量顯著成長,推動新一波價格上行循環。在資料存取高需求帶動下,DRAM的需求量成長更為放大,2025年產值來到1,657億美元,年增幅達73%,遠高於2025年NAND Flash的697億美元產值,使得供應商在產能的規劃上,更加側重於DRAM的布建。

今年Q1 DRAM價格有6成漲幅、DRAM與NAND Flash合約價漲勢延續至2027年

此外,AI已從早期的大模型訓練,演進至結合推理、記憶與決策能力,對記憶體容量、頻寬與存取效率的需求呈現指數型提升。此一技術演變,使本輪DRAM漲勢在幅度顯著高於歷史循環,以過往的數據來看,單季漲幅最高約為35%,然在DDR5需求拉升的帶動下,DRAM去年第4季漲幅已達53-58%。

在已經推高的DRAM價格基礎之下,CSP仍舊不減對記憶體的需求,持續推升價格的上揚,預期今年第1季將有60%以上漲幅,甚至在部分產品線將有近翻倍的報價。再加上未來3個季度仍將持續看漲的預期下,大幅推升DRAM將年增產值至4043億美元,年增率高達144%。

綜觀整體記憶體市場,TrendForce認為,缺貨的市態尚未有緩解的可能,故合約價的話語權仍落在供應商端,且展望後市,TrendForce認為,AI浪潮仍在持續進化,從硬體堆疊、系統架構到軟體應用皆同步推進,記憶體已是AI運算不可或缺的核心資源。在AI 伺服器、高效能運算與企業級儲存需求長期支撐下,DRAM與NAND Flash合約價漲勢預期將延續至2027年,因此市場的營收成長動能有望延續至2027年。

知嚴選

⭐️ 即刻下載!無蓋版廣告純淨版《知新聞》App

# DRAM # NAND Flash # 記憶體 # 美光 # 力積電 # 華邦電 # 南亞科 # 十銓