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冠捷半導體與聯電攜手搶攻車用市場 28奈米新ESF4平台量產
出版時間：2026/01/16 19:16
【記者蕭文康／台北報導】面對車用控制器對高效能的不斷追求，Microchip Technology旗下子公司冠捷半導體（Silicon Storage Technology , SST與聯電（2303）今日共同宣布，SST的第四代嵌入式 SuperFlashR (ESF4)解決方案，已在聯電28HPC+ 製程平台上完成全數驗證並正式進入量產階段，具備完整的 Automotive Grade 1(AG1)車規等級能力。
ESF4較其他晶圓廠生產的28奈米大降生產成本
SST與聯電攜手打造的ESF4，不僅可於車用控制器應用中提供強化的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)效能與驗證過的高可靠性，更相較於其他廠商的28奈米 高介電係數金屬閘極(HKMG) eFlash 解決方案，大幅減少了額外製程光罩步驟，為客戶帶來更具成本效益與生產效率的方案。
目前已於晶圓代工廠40奈米ESF3 AG1平台生產車用控制器產品的客戶，若有升級至先進製程節點的需求，建議評估聯電28奈米 ESF4 AG1平台。
針對這項合作案，Microchip授權業務部門副總裁Mark Reiten表示，隨著車用需求持續加速，開發者迫切需要能提升效率、加快產品上市並滿足嚴格車規標準的解決方案。SST與聯電攜手提供了具備量產能力的28奈米AG1解決方案，協助客戶加速設計導入。聯電一直是SST推動SuperFlash創新的重要夥伴，我們將持續共同回應快速演進的市場需求，提供具技術與經濟優勢的產品。
聯電技術研發副總經理徐世杰則進一步說明，隨著車輛日益邁向互聯、自駕與共享，對高可靠性資料儲存與大容量資料更新的需求也不斷成長，促使客戶期待能在28奈米製程導入SuperFlash技術。透過與 SST的緊密合作，雙方成功推出已整合至28HPC+ 製程平台的 ESF4 解決方案，讓客戶能充分運用聯電豐富的模組與IP，拓展關鍵市場，同時升級至更先進製程節點。
適用-40°C至 +150°C(Tj)溫度範圍、寫入耐久達10萬次以上
聯電28HPC+製程平台上SuperFlash ESF4 AG1的關鍵效能與可靠性指標包括：通過Automotive Electronics Council(AEC) Q-100 Grade 1認證，適用-40°C至 +150°C(Tj)溫度範圍、讀取存取時間小於12.5ns、寫入耐久達10萬次以上、在125°C下資料保存超過10年、僅需單位元錯誤更正碼(1-bit ECC)、32Mb巨集在AG1條件下驗證結果為無任何位元錯誤(未使用 ECC)、最高良率達100%。
此外，由於車用控制器的出貨量逐年快速成長，交通運輸產業對於多樣化車載應用的創新解決方案需求也與日俱增。為滿足此需求，在控制器中整合高效能且具備高可靠性的eNVM以儲存程式碼與資料，已成為關鍵。SST搭載聯電 28HPC+ AG1製程的ESF4解決方案，適用於需具備空中下載(Over-the Air, OTA)無線更新功能的高容量控制器韌體，有效提升產品升級與維護的彈性。
