美國資料中心新增容量20%延後至2029年、需求出現空窗
美系外資報告明確排除全球主流DDR5與TLC/QLC NAND市場，僅針對舊世代與利基產品提出修正看法。報告指出，利基型記憶體因固定價格長期供貨協議（LTA）較少，過去能迅速反映供給短缺而大幅漲價；但同樣缺乏長約保護的特性，也使其在需求轉弱時更容易出現訂單削減與庫存去化。
外資美國團隊最新評估顯示，受期中選舉後政策與地方政府法案影響，2028年美國資料中心預估新增容量約有20%將延後至2029年，相當於全球新增容量約10%。此舉可能讓科技供應鏈在2028年出現需求空窗，進一步削弱定價能力並推升庫存壓力。PC半導體研究亦顯示，2026年前3季存在提前拉貨現象，第四季修正幅度恐加深，凸顯消費需求被高估的風險。
更新後的供需模型顯示，短缺狀態將逐步緩解
美系外資預期，2028年SLC NAND、MLC NAND與NOR的供需缺口分別為-3%、-5%與-1%，DDR4則轉為+1%供應過剩。短期供應仍可能維持偏緊，但缺口縮小本身就足以削弱進一步漲價的能力，因此外資不再以近期平均售價漲幅直接外推未來獲利，而更重視需求正常化、供給反應與獲利持續性。基於此，外資同步下修2027-2028年快閃記憶體與DRAM相關平均售價假設，並調降相關公司獲利預估。
利基型記憶體已從「短缺驅動的漲價行情」進入「供需正常化與需求能見度下降」的階段
美系外資強調，1.0倍本淨比被視為資本密集記憶體IDM與晶圓代工股在景氣下行期的心理支撐水準，而非保證的交易底線。主要下跌催化因素包括漲價速度放緩、訂單削減與庫存去化；主要上行風險則為雲端訂單重新轉強，或新增供給進一步延後。整體而言，利基型記憶體已從「短缺驅動的漲價行情」進入「供需正常化與需求能見度下降」的階段，投資策略應更著重風險控管與個股差異化。
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旺宏目標價由220元降至90元，降幅約59%
主因NOR與SLC/MLC NAND定價能力可能見頂，產業供給增速快於需求，加上2028年雲端支出可能部分遞延，外資將目標本淨比由2.1倍大幅下修至1.0倍。
華邦電目標價下修58%至120元
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NOR、SLC NAND與DDR4業務短期面臨供給快於需求的壓力，目標本淨比由2.9倍降至1.2倍；外資仍肯定其CUBE與S-SiCap長期潛力，故以1.0倍本淨比作為下檔估值基準。
力積電目標價下修51%至54元
DDR3/4與SLC NAND定價能力恐見頂，目標本淨比由2.0倍降至1.0倍。外資看好其3D AI晶圓代工與美光合作的長期機會，但認為記憶體代工短期壓力仍大。
群聯目標價由2588元大幅下修至1357元，降幅約47.6%
評等同步降至減碼。作為無晶圓廠控制器與解決方案供應商，其受利基型記憶體景氣波動影響更直接，下檔估值支撐相對有限。
南亞科目標價由600元小幅下修至550元，降幅約8.3%
為五家中幅度最小者，並維持加碼評等。外資雖下修DDR4定價能力假設，但肯定其第二代10奈米製程DDR5已占營收約10%，下一代製程將於2027年進入認證、2028年導入EUV，技術轉進優勢使其韌性優於其他純DDR4業者，目標本淨比仍維持相對較高的2.04倍。
股價表現不同調、群聯漲幅最高、力積電收黑
記憶體族群昨股價表現不同調，除力積電小幅下跌0.7元至58.5元外，以群聯上漲55元或3.28%最高，來到1730元。華邦電小漲1.5元至136.5元、旺宏小漲0.6元至82.7元、南亞科上漲11元至394元。
