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外媒曝台積電將進軍先進記憶體晶片市場 為輝達打造3D DRAM

外媒爆料,為因應輝達需求,台積電有意進軍3D DRAM市場。法新社 zoomin
外媒爆料,為因應輝達需求,台積電有意進軍3D DRAM市場。法新社
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【記者陳建彰/台北報導】科技媒體《The Information》昨援引兩名知情人士消息報導,台積電正考慮擴大業務版圖,進軍先進記憶體晶片製造,以在快速擴張的AI硬體供應鏈中獲取更大市佔。

本文大綱

報導指出,台積電近期已應其最大客戶輝達的要求,開始規劃生產一種名為「3D DRAM」的先進記憶體晶片,此架構透過垂直堆疊儲存單元來提升容量,被視為因應AI算力對高頻寬、高密度記憶體需求的關鍵方向之一。

台積電目前尚未確定量產時間,也未最終決定產能來源。報導指出,台積電正在評估兩條路徑:一是興建專用新廠,二是收購現有晶圓廠並改造為記憶體生產設施。

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台積電回應不評論市場傳聞

如果台積電這項計畫確定落地,意味著台積電從長期專注的晶圓代工、邏輯晶片製造,進一步擴展至三星電子、SK海力士和美光長期主導的記憶體晶片市場,對輝達而言,若能獲得較近的先進記憶體供應,也有助於緩解AI加速器所需高頻寬記憶體的供應壓力。

不過,消息仍屬市場傳聞。台積電回應稱「不評論市場傳聞或揣測」,並強調公司始終專注於晶圓代工核心業務,輝達則未回應置評請求。

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# 台積電 # 先進記憶體晶片 # 輝達 # 3D DRAM # HBM
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