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分析｜美光收購力積電銅鑼廠 2027年下半年將貢獻約1成以上產能、全球DRAM供給可望上修
出版時間：2026/01/19 17:00
【記者蕭文康／台北報導】隨著Micron（美光）計畫以18億美元收購力積電（6770）在台灣的銅鑼廠房（不含生產相關機器設備），且雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係，根據TrendForce最新DRAM產業調查，此合作案將有利Micron增添先進製程DRAM產能，並提升力積電的成熟製程DRAM供應，預估2027年全球DRAM產業供給將有上修空間。
銅鑼廠一期2027年下半年可貢獻約1成以上產能
TrendForce分析，2025年下半開始，ASIC和AI推論分別帶動HBM3e、DDR5需求，並推升整體DRAM利潤率，促使Micron加速擴充產能。本次收購力積電銅鑼廠包括土地及廠房、無塵室，預期Micron將可在2026至2027年分批移入既有及新訂購的設備，以DRAM先進製程的前段設備為主，並於2027年投入量產。
預估銅鑼一期在2027年下半年可貢獻的產能，將相當於Micron 2026年第4季全球產能的10%以上。
美光持續在全球大擴廠
據TrendForce統計，2025年第3季Micron在全球DRAM產業的營收市占率為25.7%，排名第3。2024年起AI帶動HBM、DDR5、LPDDR5X等先進製程DRAM產品需求，Micron除了持續執行美國ID1、新加坡HBM後段產能建設，便已積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。
在銅鑼廠之前，Micron在台灣已收購AUO台南廠2座、AUO Crystal在台中的廠房，以及Glorytek的台中廠房，作為wafer probe(晶圓測試)、metallization (金屬化)、HBM TSV等各項用途。Micron亦規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM metallization。
力積電將獲美光授權1Y nm及後續1Z nm製程授權
觀察此次銅鑼廠收購案對力積電的意義，包括其現有DRAM產能主要採用25nm、38nm製程，因此其DDR4產線暫時止步於容量較小的產品。近日力積電與Micron簽署合作意向書後，預計未來1年內將獲得Micron授權1Y nm製程，後續並有機會再取得1Z nm製程授權，可支持其提升DDR4產品容量。此舉將有利力積電保持在consumer DRAM市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與Micron的先進產品線互相競爭。
