輝達出手統一NVHBM製程規格
根據《Seoul Economic Daily》報導，輝達已對3家NVHBM供應商三星、SK海力士及美光，提出統一要求：基礎晶片必須採用台積電的3奈米製程，而負責儲存資料的核心晶粒（core die）則必須統一採用第6代10奈米級DRAM製程，也就是業界所稱的1c世代。
輝達於今年8月公布的NVHBM，是以第7代HBM4E架構為基礎的客製化產品，由輝達自行定義基礎晶片上的記憶體控制器與介面規格。
輝達之所以推動規格標準化，是因為3家供應商原本採用不同的製程與設計方式；即使各家產品都符合記憶體標準，實際效能仍可能有所差異，導致輝達必須分別驗證各家供應商的產品。若能統一基礎晶片的製程及核心DRAM的世代，就能大幅降低驗證工作的複雜度，並加快將新型記憶體整合至AI加速器的時程。
三星讓步有界線 堅持垂直整合
不過，三星的讓步仍有其界線。報導指出，這項調整僅適用於輝達客製化的NVHBM產品；三星的標準版HBM4與HBM4E仍維持內部垂直整合的生產模式，其中基礎晶片採用三星自家的4奈米製程，核心晶粒則由三星位於華城和平澤廠區的1c製程產線供應。至於供應給AMD等其他客戶的客製化HBM，三星同樣維持全程由內部生產的模式。
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三星今年率先在全球實現HBM4量產，目前HBM4E則仍處於量產驗證階段。
三星台積電合作範圍首度延伸至HBM本身的製造
值得注意的是，三星並未放棄自行製造的能力。業界消息人士指出，三星正同步驗證能否利用自家的晶圓代工產線，自行生產NVHBM的基礎晶片，以便在台積電產能不足時作為備援方案。這顯示三星正採取更具彈性的雙軌策略，在維持技術自主與配合客戶需求之間尋求平衡。
這並非三星與台積電首次在相關技術領域合作。4年前，雙方曾在先進封裝領域合作，以確保HBM與GPU的整合能夠相容於台積電的封裝製程。不過，當時的合作僅限於封裝相容性驗證；這一次，合作範圍則首度延伸至HBM晶片本身的製造。
