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破天荒攜手台積電!三星為輝達訂單妥協 HBM基礎晶片首度導入3奈米

破天荒攜手台積電!三星為輝達訂單妥協 HBM基礎晶片首度導入3奈米

【編譯于倩若/綜合外電】輝達(NVIDIA)已為其客製化高頻寬記憶體(HBM)制定統一的製程規格。記憶體大廠三星電子(Samsung Electronics)經內部評估後,決定配合這項要求,首度將台積電3奈米製程導入HBM晶片製造,用於生產基礎晶片(base die)。這項轉變意味著,三星長期採行的記憶體與晶圓代工垂直整合模式,在面對輝達的客製化訂單時已開始鬆動,也讓台積電的先進製程進一步深入HBM供應鏈的核心環節。
美光HBM4量產順利!聯手台積電、Intel先進封裝 預計記憶體一路缺到2028

美光HBM4量產順利!聯手台積電、Intel先進封裝 預計記憶體一路缺到2028

【記者蕭文康/台北報導】台灣美光董事長盧東暉帶今在與媒體交流茶會中強調,美光積極擴展台灣、日本與新加坡三大製造基地,憑藉現有設施優勢快速提升產能,以滿足市場需求。另提到台灣銅鑼新廠建置迅速,先進封裝技術結合台積電CoWoS與Intel EMIB推動HBM產品創新,與NVIDIA、AMD等客戶合作緊密,良率與產量均顯著提升。而面對中國競爭,美光持續強化技術與製造領先。他並預期2027、2028年記憶體供應將更為緊張,並透過長期合約確保穩定供給。
三星提「CUBE」策略打造下一代3D記憶體與儲存解決方案 曝HBM5已著手開發

三星提「CUBE」策略打造下一代3D記憶體與儲存解決方案 曝HBM5已著手開發

【記者蕭文康/台北報導】三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi(崔璋石)今於SEMICON Taiwan 記憶體高峰論壇,以「開啟智慧新維度,以 3D 整合技術驅動 AI 時代」(The New Dimension of Intelligence. Powering the AI Era with 3D Integration)為主題進行演講。三星提出「CUBE」策略,以全面的半導體能力推動3D架構發展,打造下一代3D記憶體與儲存解決方案,包含zHBM及zNAND-O,解決AI資料中心及裝置端AI(on-device AI)不同環境下的瓶頸,大幅提升效能。
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