1TB iPhone 18 Pro Max採QLC儲存 速度與耐用度不如TLC
《NOTEBOOKCHECK》指出，Bilibili頻道HOMOLAB，對1TB iPhone 18 Pro Max進行實際儲存效能測試，結果顯示，在高強度使用儲存空間後，其快閃儲存空間的速度可能大幅下降，尤其是在儲存空間使用量增加時更為明顯。
目前大多數手機都採用TLC（三位元儲存單元）快閃儲存，每個記憶體單元可儲存3位元資料；隨著3D NAND問世，TLC在速度、容量與耐用度之間取得良好平衡。
相較之下，1TB iPhone 18 Pro Max採用QLC（四位元儲存單元）儲存技術，每個單元可儲存4位元資料。這代表以相同的實體晶片可以提供更大的儲存容量，但每個儲存單元必須區分更多種可能狀態，因此QLC的速度通常比TLC慢，耐用度也較低。
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快取耗盡後寫入比記憶卡慢
HOMOLAB透過與採用TLC的512GB iPhone 18 Pro直接比較，進一步證實這一點。
在加權4K讀取測試中，兩者表現相近：QLC機型為46,045，TLC機型則為51,282。到了混合讀取／寫入工作負載，差距進一步擴大；在較低的佇列深度下，TLC機型領先約38%（11,285對8,168）；而在更繁重、要求更高的工作負載下，差距縮小至約12%（35,992對32,219）。
與目前大多數手機一樣，iPhone 18 Pro Max採用小型、高速的SLC（單位元儲存單元）快取，用來應付短時間內突然增加的資料傳輸。在快取仍有可用空間時，速度可超過3,000 MB/s；當SLC快取耗盡後，手機會改用另一個緩衝區，模擬類似TLC的儲存，其速度仍比原始QLC快，平均達578 MB/s，但速度波動幅度相當大。
只有在該緩衝區也耗盡後，手機才會直接將資料寫入原始QLC儲存空間。HOMOLAB測得的持續寫入速度此時平均降至僅79.4 MB/s，最低更只有25.6 MB/s，比許多入門級microSD記憶卡還慢。
長時間大量寫入恐暴露大容量iPhone 18 Pro Max儲存效能 4K、ProRes錄影及檔案傳輸受影響
而且，隨著儲存空間逐漸被佔用，情況會進一步惡化。在儲存空間使用率達60%時，由於可用空間減少，快速快取的可用空間也隨之縮減，使SLC快取容量從儲存空間全空時約250GB，大幅降至僅58GB。
模擬TLC的緩衝區速度也有所下降，平均為396 MB/s，相較於儲存空間全空時的578 MB/s明顯降低；而原始QLC寫入階段的速度則進一步下降，平均僅45 MB/s，最低更只有1.1 MB/s——在同樣繁重的工作負載下，遠低於其他旗艦手機所採用的TLC型UFS 4.0儲存空間。
在價格方面，1TB版本的儲存容量升級費用是業界最高價之一，儘管它採用的儲存技術一般被認為不如低容量版本所採用的儲存技術。
對於傳送訊息、瀏覽網頁及隨手拍照等大多數日常工作而言，這種差異可能不會被察覺，因為快取足以應付一般的短時間資料傳輸。但在長時間、大量寫入資料的情況下，問題就會變得明顯，例如長時間錄製4K或ProRes影片、大量檔案傳輸，或從備份回復資料。這些恰好都是購買高容量機型的消費者最可能遇到的使用情境。
