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分析|ASML攜手台積電3巨頭研發12吋High NA光罩 專家揭背後「2大關鍵」

分析|ASML攜手台積電3巨頭研發12吋High NA光罩 專家揭背後「2大關鍵」

【記者蕭文康/台北報導】ASML(艾司摩爾)8日同時與台積電(2330)、三星及英特爾揭露12吋High NA微影系統導入先進製程量進度,並共同推動轉移升級至12吋光罩,將高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影技術的價值發揮到極致,包括與台積電合作目標於2031年之前建立12吋光罩試產線,預計於2033年之前實現量產。專家對此分析,AI時代晶片如輝達GPU尺寸持續增大、設計更複雜,進一步凸顯這個限制,因此,業界推動更大尺寸的12吋光罩除了產業協作分攤成本外,也能一次曝光更大面積的晶片圖案,消除拼接需求。
ASML與台積電宣布升級至12寸High NA EUV光罩合作 2033年支援量產

ASML與台積電宣布升級至12寸High NA EUV光罩合作 2033年支援量產

【記者蕭文康/台北報導】ASML(艾司摩爾)今分別與台積電(2330)、三星及英特爾揭露12吋High NA微影系統導入先進製程量進度。各方9月7日於BACUS國際光學工程學會(SPIE)先進微影技術研討會前宣布發起產業合作,共同推動轉移升級至12吋光罩,以將高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影技術的價值發揮到極致,其中與台積電合作目標於2031年之前建立12吋光罩試產線(pilot line)並於2033年之前實現微影系統全面就緒,以支援先進製程量產。
ASML揭High NA EUV加速邁向高量產 已有10台投入運作

ASML揭High NA EUV加速邁向高量產 已有10台投入運作

【記者蕭文康/台北報導】ASML在SEMICON TAIWAN2026舉行半導體先進製程科技論壇中揭露,隨著半導體產業持續追求先進製程的微縮極限,High NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻技術)正加速邁向高量產(High Volume Manufacturing,HVM)階段,並展現卓越的技術實力及商業應用潛力。其中,EXE系統累計曝光晶圓數已突破135萬片,High NA EUV已有4家客戶共10台裝機並投入運作,另有3台系統正在出貨及裝機中。
半導體邁入埃米世代!imec新任執行長范登納米勒來台演說 定調系統級創新及跨技術整合

半導體邁入埃米世代!imec新任執行長范登納米勒來台演說 定調系統級創新及跨技術整合

【記者蕭文康/台北報導】隨著AI應用快速擴展,半導體產業面臨算力需求倍增、能源效率提升,以及晶片微縮逼近物理極限等挑戰。比利時全球微電子研發中心 (imec) 於今舉辦ITF Taiwan 2026 技術論壇,范登納米勒(Patrick Vandenameele)首度以新任執行長身份訪台並發表主題演講「Scaling Innovations to Impact」,說明唯有整合先進CMOS、異質整合、光子互連至系統級協同優化等技術創新,才能支撐AI永續發展,他並展望量子運算與仿腦運算等新興典範,將是打造高效智慧運算的重要途徑。
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