High NA曝光機一台要價4.5億美元、台積電2030前暫不採用
微驅科技總經理吳金榮表示，EUV極紫外光的曝光機目前用的最多的極紫外光曝光機是低數值孔徑，一台價位大約在1.5億到2.5億美元之間，而低數值孔徑解析度已經不錯，主要用到7奈米、5奈米，到3奈米、2奈米，製程愈往下就發現這個它的解析度可能還有所不不足。所以ASML就開發一個叫做High NA（高數值孔徑）EUV，厲害點就是解析度大幅提高了。
不過，一台高數值孔徑機台大概要4.5億美元，貴一倍以上，這也是台積電精打細算認為，2奈米用不到，甚至14A製程也可以不用，主要就是因為這個機台太貴了。但是，吳金榮說，可是現在AI的晶片越來越複雜，製程愈先進，線寬就愈細，預期在2030年就會要用到High NA EUV機台。
英特爾率先採用High NA、目前四方同意合作開發12吋光罩
雖然台積電、三星都有買，主要用做實驗用，唯一有在用的是英特爾有買並在生產線上用。現在的問題是高數值孔徑的光罩尺寸是6吋的，如果要放大到12吋，光是ASML一家還不行做到，要有台積電這種大咖實際上真的在生產線用應加速研發成功，未來做成12吋的光罩基本上生產效率提高，尤其是尺寸比較大的AI的晶片採用12吋的光罩提高生產效率和降低成本。
ASML近日與台積電、三星、英特爾宣布合作開發高數值孔徑EUV的12吋光罩，事實上主要是為了解決 High NA EUV 技術在生產效率與大型晶片設計上的物理與經濟瓶頸。
業界人士進一步分析，High NA EUV數值孔徑從現行的0.33提升至0.55是 ASML下一代微影技術，能提供更高解析度，適合更2奈以下先進製程節點與複雜電晶體架構，尤其是AI相關晶片。英特爾已率先在18A製程（導入量產，三星計畫2028年用於DRAM量產，台積電目標2030年導入先進邏輯節點。
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現行6吋光罩無法一次曝光完整的大尺寸晶片
然而，High NA EUV系統的曝光場（exposure field）面積縮小，約為現行EUV的一半左右，導致現行標準6吋光罩無法一次曝光完整的大尺寸晶片，例如大型AI GPU，必須使用拼接（stitching）技術，將兩張或多張6吋光罩的圖案拼接起來，這會增加製程複雜度、對準難度、缺陷風險與成本。
12吋光罩曝光更大面積的晶片圖案減少拼接
供應鏈人士解釋，隨著AI時代晶片如輝達GPU尺寸持續增大，設計更複雜，未來恐進一步凸顯這個限制。因此，業界推動從6吋光罩升級到更大尺寸的12吋光罩（6×12吋格式），以恢復完整曝光場。這樣做的目的是恢復並擴大曝光能力，讓High NA EUV一次曝光更大面積的晶片圖案，減少拼接需求。
產業協作以分攤風險與成本
此外，由ASML與台積電、三星及英特爾產業協作以分攤風險與成本，也有助於形成標準、擴大經濟規模、提高供應鏈投入意願。
ASML說明，若成功導入後High NA EUV系統的產能可提升約40%、降低製造成本、減少拼接步驟、提高曝光效率與良率，使先進製程更具成本效益，同時可增加設計彈性並支援更大尺寸、更複雜的晶片，讓設計人員不必過度遷就曝光場限制。
