台灣長期位居全球半導體創新的核心，也是imec最重要的合作夥伴之一
本次論壇也邀集台積電（TSMC）、美光（Micron）、鴻海（Foxconn）等產業夥伴同台分享觀點，共同探討半導體技術的未來發展方向。
imec執行長范登納米勒（Patrick Vandenameele）表示，台灣長期位居全球半導體創新的核心，也是imec最重要的合作夥伴之一，因此選擇在訪台期間，與產業共同探討AI時代的下一步發展方向。當晶片效能已無法單靠製程微縮持續提升，產業競爭的關鍵正逐步轉向「系統級協同優化（System-level Co-optimization）」，必須同步整合邏輯、記憶體、先進封裝、互連、材料與軟體等關鍵技術，並透過全球生態系合作，加速前瞻技術從研發走向產業應用，才能將創新擴展為支撐下一波AI發展的實質影響。」
imec完整展現從基礎製程、元件材料到系統整合的創新布局
imec在過去半年來已持續發表最新研發成果，從支持埃米世代的 High-NA EUV 微影技術、突破矽材料極限的2D材料電晶體，到串聯全球合作夥伴的先進封裝與異質整合生態系，完整展現從基礎製程、元件材料到系統整合的創新布局。這些成果不僅回應AI對效能、能源效率與系統整合的需求，更彰顯 imec 如何透過開放合作模式，將前瞻研發逐步推進至產業應用，持續引領全球半導體技術發展。
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微影技術雙重突破：藉由 High-NA EUV 實現世界首創的量子元件
他分析，底層製程技術是支撐AI與先進運算演進的關鍵基礎，其中高數值孔徑極紫外光 (High-NA EUV)是半導體邁向埃米世代的重要驅動力。imec於今年3月將 ASML EXE:5200 High-NA EUV 微影系統導入imec 12 吋無塵室，結合量測、圖形化工具與材料開發環境，協助合作夥伴驗證 2 奈米以下邏輯與高密度記憶體技術。
僅兩個月後，imec便進一步發表全球首款採用High-NA EUV製成的量子點量子位元元件，成功製作閘極間隙僅6奈米的功能網路，展現從導入全球最先進微影設備，到完成世界首創應用成果的完整研發能力，也為量子元件從實驗室走向可重複、可規模化的12吋晶圓製程奠定基礎。
材料創新延伸微縮極限：2D材料電晶體邁向產業化
當矽材料逐漸逼近物理極限，尋找新一代通道材料已成為延續邏輯微縮的重要方向。imec 攜手ASML與台積電發表創新的12吋晶圓整合技術路徑，首度成功製作具備50奈米閘極間距(CPP) 的微縮化2D材料nFET與pFET，並兼具良好的電性表現。
這項成果不僅建立與現行CMOS製程相容、可擴充的製造方法，更象徵2D材料電晶體跨越實驗室研發階段，朝向晶圓廠量產邁進，為2奈米以下邏輯元件開啟全新的材料發展路徑。
從技術突破到產業合作：打造先進封裝創新生態系
除了推進關鍵技術研發，imec也擴大先進封裝與異質整合的全球合作生態系。旗下ASIC與矽光子服務部門IC-Link正式加入台積電3DFabric® Alliance，進一步串聯台積電開放創新平台 (OIP) 與全球合作夥伴，加速3D IC與先進封裝技術導入產業應用。
另一方面，作為獨立於 IC-Link 服務之外的研發成果，imec亦攜手Sony發表高密度晶背連接模組，以小於100奈米的自對準矽穿孔技術，提升晶背連接的效能、疊對容許範圍與可靠度，為新一代邏輯、記憶體與3D晶片整合奠定技術基礎。
imec研發團隊亦匯聚來自台灣的研發人才
他強調，
作為全球半導體創新的重要樞紐，台灣不僅是imec長期深耕的重要合作夥伴，更是推動下一世代技術發展不可或缺的一環。多年來，imec與台積電及台灣半導體供應鏈在先進製程、材料、封裝等領域維持緊密合作，共同探索未來十年以上的關鍵技術方向。
同時，imec研發團隊亦匯聚來自台灣的研發人才，成為串聯台灣與全球創新生態系的重要橋梁。未來，imec也將持續透過ITF Taiwan等交流平台，攜手台灣產業夥伴共同推進前瞻技術研發，將系統級創新加速轉化為支撐 AI 時代的新一代半導體解決方案。
