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分析｜中國記憶體為何追不上？韓專家直言：落後至少5年，差距還在擴大
出版時間：2026/02/04 12:20
【編譯于倩若／綜合外電】中國在記憶體晶片領域取得快速進展，在南韓引發陸廠可能挑戰三星電子與SK海力士等市場龍頭的擔憂。不過根據1位資深DRAM專家的說法，技術落差遠比外界普遍認知的還要大，而且可能是「越拉越開」，而非縮小中。
韓DRAM專家直言：中韓技術差距逾5年，高階記憶體差越拉越大
東亞大學（Dong-A University）電機工程教授Shim Dae-yong，在接受《韓國先驅報》專訪時表示：「這個差距不是2、3年，我認為超過5年，尤其在高階DRAM領域，中國更可能進一步落後，而非追上。」
Shim Dae-yong曾在SK海力士任職26年，掌管核心DRAM技術，並在HBM（高頻寬記憶體）的早期開發中扮演關鍵角色。這種專用DRAM現已成為AI運算不可或缺的元件。他在2021年以副總裁身份離開海力士。
他說：「從外部來看，中國的進展確實吸睛，但產業內部的評估要務實得多。」
結構性限制：沒有EUV，就沒有捷徑
他指出，中國在先進DRAM製造上面臨根本限制：缺乏極紫外光（EUV）光刻機的使用權，而EUV在早期10奈米級以下製程之後，已成為不可或缺的設備。
DRAM製程世代通常從1x、1y、1z（約20奈米以下）進展到更先進的1a、1b、1c（10奈米級）。
Shim Dae-yong表示：「多重曝光技術可以在一定程度上延伸舊設備的使用，美光曾在1a製程做到。但從1b開始，EUV幾乎無法替代。沒有EUV，中國廠商在結構上就受限。」
自2019年起，美國主導的出口管制禁止全球唯一EUV供應商ASML，向中國公司出售設備，中國因此無法取得EUV光刻機。
在這種背景下，長鑫存儲於去年11月宣布開始量產DDR5記憶體，也凸顯了中國進展的限制。
據悉，這批DDR5晶片採用第4代DRAM製程（1a），尺寸據說比三星與SK海力士早期量產的DDR5晶片還大，相當於韓廠2021年初期出貨的產品。
更重要的是，長鑫存儲的良率僅約50%，遠低於商業化所需的80–90%，這不僅推高成本，也降低了中國廠商可能以低價大量衝擊市場的疑慮。
HBM，比想像中更難
Shim Dae-yong指出，中國最現實的突破方式，不在進一步縮小製程，而是透過先進的3D堆疊技術，也就是HBM的基礎技術。
他說：「當平面縮小速度放慢時，堆疊密度變得同樣重要。理論上，中國可以透過垂直整合，在沒有EUV的情況下縮小部分差距。」
不過，實務上瓶頸只會轉移，到材料與封裝端。
HBM的關鍵原料，包括底層填充（underfill）與環氧樹脂封裝材料（EMC），主要由日本供應商如Resonac與Namics主導。每個製程節點都需要優化這些材料，以確保良率、熱穩定性與長期可靠性。即使對韓廠來說，經過多年本地化努力，仍是挑戰。
Shim Dae-yong說：「沒有穩定取得優化的底層填充和EMC，3D堆疊的良率會變成惡夢。這不是只靠資本支出就能解決的問題。」
真正的差距：經驗與信任
Shim Dae-yong更指出，中國廠商缺乏與全球記憶體龍頭長期累積的協作經驗，這些龍頭長期與微軟、Google、蘋果、輝達等大型科技公司共同開發、除錯、驗證全新架構。
他說：「全球科技巨頭並不是單純『使用』記憶體，他們是共同開發，調試除錯，並跨全新架構驗證，這些經驗不是一夜之間可以複製的。」
他指出，在最尖端產品部署記憶體晶片時，缺陷是不可避免的。關鍵是供應商能否快速找到問題根源並解決，而不干擾客戶的產品規劃。
會做不夠，關鍵在良率、可靠性與信任
他回憶，大約8年前，SK海力士為Apple Mac電腦提供低功耗DRAM，這是將手機記憶體改用於桌機系統的首批嘗試。
就在上市前，出現了一個重大缺陷，可能導致SK海力士面臨超過2兆韓元的賠償，甚至迫使蘋果回收1年出貨量。
作為專案負責高層，Shim Dae-yong協調了元件物理、製程工程與系統設計團隊，在1周內找出問題並解決。
他說：「會做晶片只是業務的一部分，真正的挑戰是提高良率、證明可靠性，並建立客戶信任，成為穩定長期的供應商。目前來看，由於三星與SK海力士這類成熟供應商已可取得，中國缺乏品質保證與缺陷處理經驗，主流科技公司採用長鑫晶片的可能性非常低。」
