Q2營收季增27%、每股賺0.76元
譚仲民表示，第2季營收為172.9億元，季增27%，獲利部分，達32.9億元，較第1季明顯改善，第1季因銷售廠房給美光，營收達240多億元，但本業毛利狀況幾乎打平，第2季本業淨利已明顯成長，每股純益0.76元，低於上季的3.36元。其中，第2季毛利率已經達到28%，毛利約50億元，較第1季成長可觀，整體淨利亦有顯著提升符，第2季出貨量達42萬2000片，產能利用率維持在87%至88%之間，產能穩定且效益提升。
上半年表現累計營收達308.6億元，較去年同期成長近40%，營運已由虧轉盈，營運體質顯著改善。譚仲民指出，整體產能利用率與出貨量皆成長，但因DRAM價格漲幅較大，帶動銷售比例有所變動。產品組合方面，30奈米以下記憶體製程佔比高達52%，其餘產品主要為40奈米至0.1微米的12吋晶圓邏輯代工及0.15微米以上8吋晶圓產品。記憶體ASP（平均售價）提升幅度較邏輯產品顯著，反映在銷售比重調整上。
譚仲民說，DRAM客戶全為fabless設計公司及通路商，該客戶群比重明顯上升。DRAM與Flash合計營收佔比接近52%。而3D AI Foundry業務從第1季3.2%攀升至第2季5.4%，新興業務成長動能強勁。力積電將進一步推進包括IPD與interposer等高階封裝服務。
記憶體代工持續推進、7月調漲45%
總經理李憲國說明，關於記憶體代工因AI需求驅動市場熱絡，DRAM生產大廠美光的亮眼財報緩解市場對AI泡沫的疑慮，預估DRAM缺口將持續至2027年，使DRAM價格大幅提升。力積電DRAM在第2季營收中占比超過50%，且趨勢持續上升。他並透露：「7月DRAM投片價調漲45%，產能利用率維持高檔，11月開始將明顯帶動營收與獲利增加。」
技術方面，力積電於6月啟動1x奈米DRAM製程小量生產，目前良率持續改善。與美光合作的1p製程設備於2025年第1季開始部署，預計2028年中達成量產目標，持續推進製程創新，強化技術競爭力。Flash產品則受益於AI伺服器對3D NAND的爆發性需求，但舊版2D NAND於網通及工控領域需求仍穩固。SLC NAND因AI應用轉向地端及IoT裝置需求維持剛性，價格在第2季逐步回升。
力積電同步將技術進階至24奈米，並推進MLC新產品開發中，預計年末至明年初tap out。NOR Flash在AI伺服器及5G基地台需求推升下持續成長，且因地緣政治因素，力積電成為唯一非中資NOR代工廠，市占率獨特。NOR投片量已突破千片規模，進入快速成長階段。
邏輯代工產能短缺、7月調漲10~15%
李憲國提到邏輯代工產能供應嚴重短缺，第3季訂單投片需求比達1.4倍，7月8吋和12吋邏輯投片價格調升10至15%。此外，電源管理IC需求暢旺，主要由AI伺服器推動，車用規格的電源管理市場亦升溫，但因其他產品線排擠效應，如手機電源管理IC可能受影響，但整體代工需求未減。
他進一步指出，市場有漲價趨勢，包括電源管理IC與部分被動元件，皆預計下半年仍有調價空間。另外，儘管中國車市飽和，海外市場增長帶動車用面板驅動IC需求上升，且部分台灣廠商減少產能配置，造成該類IC產能短缺與交期延長情形加劇。
3D AI Foundry先進封裝快速成長
在3D AI Foundry領域，李憲國說明AI伺服器對高效能晶片及中介層封裝需求強勁，力積電提供8吋及12吋IPD代工服務，12吋矽電容已通過國際大型CPU廠商EMIB認證，並穩定量產，月產能數千片規模，預計2027年擴增至上萬片。8吋矽電容應用於光通模組，亦進入量產，未來產能持續成長。
另矽中介層(interposer)產線已由銅鑼移回新竹，開始量產供應CoWoS-S及CoWoS-L封裝之需求，因台積電產能緊缺，市場有訂單外溢現象。力積電持續擴展該領域產能，搶占先進封裝成長商機。
此外，wafer-on-wafer三維堆疊技術搭配邏輯晶片垂直整合，具高速低功耗及體積小等優勢，廣泛應用於智能眼鏡、AR/VR及AIoT領域。力積電已完成四片堆疊主要客戶驗證，八片堆疊持續驗證中，產線復線小量試產中。
PwF(Panel with Foundry)技術亦在與美光密切合作中，mini-line設備預計年底前完成，2027年第4
季開始量產，持續推動製程前沿發展。
未來2年聚焦4大策略
因應設備及產線調整，7月單月營收成長將略有放緩，但因晶圓代工價格持續上調，力積電估計8月起營收將恢復明顯成長動能，全年業績預期於年底達高峰。李憲國強調，公司未來兩年重點聚焦以下四項策略：1. 推動3D AI Foundry新產品線發展，包括矽電容、矽中介層(interposer)、PwF及wafer-on-wafer四大項目，目標三年內佔比由5%提升至20%。
2.加強邏輯代工中AI及車用晶片投片比重，優化產品組合結構。
3.完成銅鑼廠設備向新竹廠區移轉並更新汰換舊設備，預計2027年年底全面提升生產力。
4.持續推進DRAM製程技術，1x奈米量產及1p製程與美光合作，逐步引入創新技術提昇價值與服務。
