廣告
快訊
KNEWS
⚡
分析｜AI帶動HBM與SOCAMM需求升溫 3大記憶體廠競局轉變、地緣布局成關鍵
【記者蕭文康／台北報導】隨AI應用快速成長，推升高頻寬記憶體（HBM）與新型記憶體模組需求，全球3大記憶體廠商間的競爭格局正出現顯著變化。DIGITIMES觀察，除了次世代HBM技術競爭升溫，未來更將擴展至小型壓縮附加記憶體模組（Small Outline Compression Attached Memory Module，SOCAMM）等新產品，地緣政治風險與政策變動也同步成為影響業者全球布局的關鍵因素。
海力士首季營收首度超越三星
受惠AI推動，HBM需求強勁，帶動SK海力士（SK Hynix）營業利益率持續改善，並於2025年第1季在DRAM營收上首度超越三星電子（Samsung Electronics），改寫長年以來由三星領先的市場格局，凸顯AI對記憶體市場競爭重塑的影響力。
海力士、美光選擇與台積電合作 三星採一站式解決方案
隨著固態技術協會（JEDEC）釋出HBM4標準，3大業者的技術競爭將延續至下一世代。未來HBM將須與邏輯晶片（logic die）進行整合，需與晶圓代工夥伴密切協作。SK海力士與美光（Micron）預計持續與台積電合作；三星則傾向採一站式解決方案，並以先進製程與新封裝技術因應市場需求，惟其量產良率與技術驗證仍具挑戰。
美光率先量產SOCAMM、地緣政治風險成為記憶體產業重大變數
除HBM外，業者亦積極開發SOCAMM等高效能記憶體模組，以支援AI運算。美光已率先量產SOCAMM，SK海力士則處於樣品階段，由於SOCAMM可能搭載於NVIDIA下世代雲端AI伺服器晶片，因此將成為3大記憶體業者的新戰場。
技術以外，地緣政治風險成為記憶體產業重大變數。美光因應美國政策積極擴張本土產能，預估未來美國境內產製DRAM將占其整體產能約4成；SK海力士亦計畫於美國設立HBM封裝廠。雖三星目前未在美國設有記憶體生產基地，其位於德州的新建晶圓代工廠仍具導入相關產線的潛力。
DIGITIMES認為，記憶體作為AI運算不可或缺的核心元件，美國政策導向與在地化趨勢，將是3大業者無法迴避的重要課題。
