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SK海力士、三星加速HBF商業化進程 HBM之父曝最快明年用於輝達產品
出版時間：2026/01/19 07:15
【財經中心／台北報導】儘管HBM（高頻寬記憶體）自推出到登上半導體產業舞台中心，大概花費近10年時間，但其迭代技術HBF（高頻寬快閃記憶體）可能將以更快速度實現商業化和普及。
根據韓國經濟日報等外媒報導，SK海力士正與閃迪合作，致力於HBF標準的制定，該公司計劃最早於今年推出HBF1（第一代產品）樣品，該產品預計採用16層NAND快閃記憶體堆疊而成。
除此之外，根據「HBM之父」、韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩透露，「三星和閃迪計劃最快在2027年底或2028年初將HBF技術應用於輝達、AMD和谷歌的實際產品中。」他說，「由於在研發HBM的過程中累積豐富製程和設計技術，可將這些經驗應用於HBF設計中，因此HBF技術研發速度會更快。
2038年HBF將超過HBM市場
HBF就是高頻寬快閃記憶體，其結構與堆疊DRAM晶片的HBM類似，是一種透過堆疊NAND快閃記憶體而製成的產品。金正浩認為，「HBM與HBF就好比書房與圖書館。前者容量雖小，但使用起來方便；後者容量更大，但也意味著延遲更高。」
金正浩指出，待迭代至HBM6，HBF將迎來廣泛應用，屆時單一基礎晶片將整合多組儲存堆疊。他預測，2至3年內，HBF方案將頻繁湧現，到2038年左右，HBF市場將超過HBM市場。
外媒報導，隨著AI需求不斷加大，如今各記憶體廠正紛紛擴大產能，其中美光科技宣布擬以18億美元從力積電收購其位於台灣銅鑼廠設施，計劃第2季完成後分階段提升DRAM產量。美光預計，該交易將在2027年下半年帶來顯著的DRAM產出。
HBM難以滿足AI大模型對記憶體容量要求
三星電子透露，已將泰勒晶圓廠原規劃的每月2萬片晶圓提升至每月5萬片晶圓，初始製造計畫最快在今年第2季啟動。
廣發證券認為，目前大模型的參數規模已達到上兆級別，上下文長度普遍超過128K，HBM的容量已難以滿足AI大模型對於記憶體容量的要求。研究中的HBF儲存容量可達到現有HBM的8至16倍，可望將GPU的儲存容量擴展至4TB，或成為滿足AI大模型記憶體容量要求的最佳方案。
從投資層面來看，該機構判斷，在針對儲存媒體最佳化的資料基礎軟體領域，相關產品開發廠商既包括大型科技公司，也包括獨立第三方公司，在對於資料庫有一定技術累積下，相關公司均有針對HBF儲存媒體開發資料基礎軟體的潛力。隨著HBF相關技術的成熟，相應產品在AI推理任務中有望大規模使用，從而推動相關數據基礎軟體的應用。
