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外媒指英特爾Fab 52晶圓廠規模及設備均優於台積電 惟有一潛藏最大變數
出版時間：2025/12/24 11:53
【財經中心╱台北報導】美國媒體CNBC 於報導，參觀英特爾在美國的Fab 52工廠，指出在與台積電爭奪全球先進製程主導權的競賽中，英特爾在美國本土市場取得顯著優勢。
根據CNBC報導及產業分析，英特爾位於亞利桑那州錢德勒的Fab 52工廠，無論是在佔地規模還是設備先進程度上，均超越台積電在該州的Fab 21一期及建設中的二期設施。
Fab 52目前已部署4台ASML Twinscan NXE系列Low-NA EUV（低數值孔徑極紫外）光刻機。值得注意的是，其中包括至少一台NXE:3800E系統，這是ASML目前最高階的Low-NA機型。
英特爾Fab 52月產能達4萬片
報導指出，該設備引入下一代High-NA光刻機的晶圓處理程序和光源技術，在30 mJ/cm²劑量下，每小時晶圓處理量（wph）高達220片。此外，工廠還配備3台NXE:3600D 系統（處理速度160 wph）。
英特爾在Ocotillo園區規劃至少15 台EUV（極紫外光）的安裝空間，為未來引進更先進的High-NA設備預留充足空間。
報導指出，在產能與技術節點的比較中，英特爾Fab 52優勢明顯。台積電Fab 21第一階段主要生產N4和N5製程晶片，單模組月產能約20000片晶圓（WSPM）。
英特爾Fab 52 專注於更先進的18A（1.8奈米及以下）製程，其月產能是台積電的2倍，預計超過40000片。即使台積電具備N3能力的第二期晶圓廠完工，英特爾在製程世代和總吞吐量上仍將保持領先或持平。
18A良率要到2027年才能達世界級水準
但考慮到18A製程的複雜性遠超過N4，英特爾在實現這產能規模背後，實際上承擔更高的技術難度與製造工作量。
報導也指出，儘管硬體參數亮眼，但英特爾在生產節奏上面臨挑戰。Fab 52目前正處於Panther Lake處理器的早期生產階段，使用的是尚未完全成熟的18A技術。英特爾預計，18A的良率要到2027年初才能達到世界級水準。
在此之前，為了控制成本和風險，工廠不會強行拉滿產量，這意味著部分昂貴的產能將暫時閒置。相反，台積電在美國採用的是已在驗證過的成熟工藝，能夠迅速實現近100%的產能利用率。這場「先進性」與「成熟度」的博弈，將是未來3年美系晶片製造的關鍵重點。
