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英特爾為追趕台積電及三星放大招！傳將14A「魔改」製程14A2 引進雙面供電技術
【記者陳建彰／台北報導】國外科技媒體Wccftech及韓媒ETNews報導指出，英特爾正在評估為下一代14A工藝推出特殊的「魔改」工藝14A2並進行架構調整。
英特爾正考慮在原定背部供電（BSPDN，Backside Power Delivery）的基礎上，同時保留部分前部供電，形成前後雙側供電（Dual Side）方案，以因應更先進製程下互連尺寸進一步縮小帶來的技術挑戰。
報導指出，英特爾原計劃在14A製程中採用名為PowerDirect的背部供電技術，將供電網路轉移至晶圓背面，為電晶體所在的正面釋放更多布線空間，進而提升電晶體密度、降低電壓損耗，並改善晶片性能。
英特爾計劃縮小最低金屬互連層間距
在作為半節點升級版本的14A2製程上，英特爾計劃進一步縮小最低金屬互連層（M0）間距，從14A的約28奈米壓縮至約21奈米，以提升晶體管密度，並提高High-NA EUV設備的經濟性。
隨著M0間距縮小至約21奈米，其互連線寬進一步降低，金屬導線電阻隨之明顯增加。原本為背部供電設計的奈米級矽通孔（nTSV）在這種尺寸下可能難以滿足電晶體所需的電流密度，導致供電網路出現更明顯的電壓降（IR Drop）問題。
報導指出，英特爾正在研究保留背部供電作為主要供電網路，同時重新利用部分前部金屬布線承擔輔助供電及部分時脈訊號傳輸，以緩解供電壓力。雖然這種方案會增加布線複雜度，但可望在更先進製程節點下平衡電晶體密度、供電能力與製造可行性。
英特爾14A將於2029年量產
根據之前IT之家報導，英特爾之前發表的14A製程將較18A實現約1.3倍的電晶體密度提升，希望藉此與台積電N2、未來的A14，以及三星SF2Z等先進製程展開競爭。
隨著製程持續微縮，微影隨機缺陷、互連電阻以及供電網路設計等問題均變得更加突出，使得原有架構需要重新評估。
依照目前揭露的路線圖，英特爾計劃於2026年10月向外部客戶提供14A製程0.9版本製程設計套件（PDK），隨後爭取在未來約18個月內獲得大型無晶圓廠晶片設計企業的訂單，並預計於2028年啟動14A風險試產、2029年進入量產階段。
英特爾先進製程研發面臨較大挑戰
至於台積電屆時已開始推出基於A14製程的產品，三星則計劃在2027年實現採用背部供電技術的SF2Z製程商用
ETNews引述業內人士的話指出，三星之前已在3奈米節點導入GAA環繞柵極電晶體架構，後續演進至新一代製程時面臨的技術風險相對較低；英特爾則需要在更短時間內持續推進GAA與背部供電等多項關鍵技術，先進製程研發仍面臨較大挑戰。
