分析〡AI熱潮推動記憶體與儲存需求爆增　專家卻點出這幾大風險

出版時間：2025/10/04 09:00

財經產業脈動

【記者蕭文康／台北報導】由於近年來AI浪潮對記憶體與儲存產業的全面推升與供需失衡，也帶動相關族群股價同步大漲，成為投資人關注焦點。針對未來的發展趨勢，微驅科技總經理吳金榮分析，觀察重點包括HBM高占用導致標準型DRAM供給緊俏、DDR4/DDR5價格動態與產能轉移、NAND Flash與SSD在AI推理的架構創新是否會取代HBM、大型買方「包產能」造成供應集中風險，以及超大規模資料中心對能源的巨量需求。

AI基礎建設拉動記憶體與儲存需求

吳金榮認為，近期記憶體市況由於各大CSP企業建置資料中心不僅需要GPU與邏輯晶片，還需大規模儲存，需求暴增帶動記憶體族群報價與股價上漲，例如美光、三星、海力士、鎧俠及台灣記憶體廠。

回顧2023~2024年記憶體產業低迷、資本支出縮減，形成供給端收縮，但在AI需求上來後推升DRAM與NAND Flash需求。原本低迷的NAND Flash因AI推理與儲存需求上升而回暖；硬碟廠（如Western Digital）過去不擴張導致硬碟供不應求，因此包括記憶體被包下產能、報價上漲，散熱及銅箔基板與各類零組件供需同步升溫。

DRAM與HBM動態及DDR4與DDR5的價格與產能轉移

吳金榮說，今年4月份傳出三星、海力士、美光將停止生產DDR4，通知客戶最後買進時間為6月份，帶動DDR4在6份漲20%，5月份又漲20%，連續上漲。過去DDR5價格應高於DDR4，但近兩三個月出現DDR4漲幅超過DDR5的「價格倒掛」，為罕見現象。

另外，記憶體大廠產能向AI相關的HBM轉移，HBM消耗大量DRAM晶圓，單位面積需求約為一般DRAM的3倍，導致標準DRAM供應更趨緊張。一個AI GPU的成本有50%到60%來自HBM記憶體；HBM對DRAM晶圓需求高，推升整體記憶體鏈。而台積電與HBM供應商被視為AI浪潮中的主要受益者。

供需與產能配置失衡

市場出現預期性搶購，擔心明年缺貨而先行鎖定產量，例如OpenAI與NVIDIA與三星、SK海力士合作與包下記憶體的情形。三星每月DRAM產能約60萬片到65萬片、SK海力士約50萬片，合計約110萬片到115萬片，但買方要包下的產能據了解就高達90萬片，顯示集中鎖定產能的壓力。

儲存技術與SSD架構創新可能替代HBM

NAND Flash技術進展與SSD直連GPU。鎧俠推出新NAND Flash，製成SSD後可達「一秒鐘，一億次」的輸入/輸出操作，同時與NVIDIA合作，透過架構優化跳過CPU直連GPU。不過，NVIDIA要求「兩億次」的儲存操作，方案為SSD並行「放兩個」以達成需求，據了解，此設計可在部分場景「取代HBM」。

同時，若以Bit計，NAND Flash價格約為DRAM的1/10左右，具成本優勢，可能在部分應用「期待」替代HBM。