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記憶體荒引爆擴產潮！中國DRAM、NAND史上最大擴產來了
出版時間：2026/02/04 10:57
【編譯于倩若／綜合外電】根據《NIKKEI Asia》報導，在全球記憶體供應吃緊之際，中國長鑫與長江存儲將大幅擴產。報導指出，記憶體出現嚴重供應短缺，為這些陸廠帶來追趕三星、SK海力士與美光的機會。
長鑫存儲上海大擴廠 產能上看合肥總部2～3倍
《NIKKEI Asia》在3日的報導中指出，隨著全球出現嚴重的供應短缺，中國2大記憶體晶片製造商，正啟動史上最積極擴產計畫，這為新興業者縮小與市場龍頭之間的差距創造了黃金機會。
中國最大DRAM（動態隨機存取記憶體）製造商長鑫存儲科技，正在上海擴建廠房。據知情人士透露，其總產能預計將達到位於合肥總部的2到3倍。
消息人士指出，這些廠房將生產用於伺服器、電腦、車用電子及其他電子產品的DRAM。設備安裝預計於今年下半年進行，並於2027年正式投產。
此外，長鑫也正在上海擴充HBM（高頻寬記憶體）產線，HBM是AI應用中至關重要的關鍵元件。
1名熟悉情況的人士表示：「公司在合肥與北京的廠房目前都已滿載運轉。主要來自本地企業的需求非常強勁，因此公司希望儘快擴充產能。」
另一方面，總部位於武漢的長江存儲科技，也是中國最大的NAND快閃記憶體製造商，正於當地興建第3座廠，目標於2027年開始生產。
長江存儲新廠轉向DRAM 50%產能切入AI用HBM
知情人士透露，長江存儲最新決定，除了生產NAND之外，新廠約50%的產能將用於生產DRAM，並將與另一家本地記憶體封裝廠合作，生產用於AI運算的HBM。
3位知情人士表示，長江存儲已經在很大程度上克服了限制其取得晶片製造設備的海外出口管制，透過使用較不先進的機台生產記憶體晶片找到解決方法。他們也表示，該公司已完成自有DRAM產品的開發。
AI運算需求正推動全球記憶體晶片市場進入一波「超級循環」，價格年增幅動輒數百甚至數千個百分點。這波漲勢已擾亂多個電子產品市場，並影響2026年的產品規劃。多位產業高層向《NIKKEI Asia》表示，中國記憶體晶片商的擴產，主要仍將供應國內需求。
DRAM用於暫存資料，使系統能夠快速存取，直接影響整體效能；而由多層DRAM堆疊而成的HBM，因能高速傳輸資料，對AI運算至關重要。
至於NAND快閃記憶體，則是電子裝置的主要儲存媒介，隨著AI推論（部署）需求上升，其使用量也持續增加。
全球第4大DRAM廠長鑫 市佔率2027年可望衝上13.9%
根據市調機構Yole的數據，長鑫目前是全球第4大DRAM製造商，僅次於三星、SK海力士與美光，產能市佔率約為11.1%。Yole預估，該比重可望於2027年提升至約13.9%。
