根據SK海力士今天公布訊息,兩人在會晤中分享下一代AI技術的發展趨勢,並探討引領未來AI生態系統的策略,雙方一致同意進一步加強全面合作,包括下一代高頻寬記憶體(HBM)和先進封裝技術的研發,以應對全球AI市場環境的變化。
SK 海力士的 HBM4(第6代)將安裝在輝達的下一代 AI加速器「Vera Rubin」上,其記憶體晶片採用10 奈米等級的第五代(1b)DRAM製程,至於負責運算處理的邏輯晶片則採用台積電12奈米製程,最重要的是,由於解決全球AI價值鏈中的瓶頸已成為一項關鍵挑戰,業界期望SK海力士和台積電的合作將有助於穩定AI半導體供應。
未來,兩家公司計劃加快步伐,搶佔客戶「客製化AI記憶體」市場,以滿足全球大型科技公司多樣化的需求。



