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台積電A14製程良率提前達標 2028年投產！效能比N2提升15%
【財經中心／台北報導】科技媒體Wccftech報導，台積電公布其先進製程路線圖的最新進展，確認下一代A14（1.4 奈米）製程的研發進程順利，其關鍵的良率表現甚至已提前達到內部預期。
具體來看，A14 製程相較於即將推出的N2（2 奈米）工藝，實現性能、功耗和密度的全面躍升。
IT之家引述官方數據如下：在功耗不變下，A14製程的運轉速度將提升15%；在速度相同時，功耗可降低高達30%；其電晶體密度也將提高20%，使晶片能夠在更小的空間內容納更多功能單元。
預計2028年投產1.4奈米
這些顯著的性能提升受惠於底層技術的革新，台積電透露，A14製程將全面採用第二代GAAFET（全環繞閘極）奈米片電晶體技術，並結合全新的NanoFlex Pro標準單元架構。
GAAFET 技術能夠更有效地控制電流，減少漏電，從而在提升性能的同時控制功耗。新的架構則進一步優化晶片設計，實現更高的整合度，共同驅動A14製程的突破。
展望未來，台積電計畫在2028年投產A14工藝，該時間點也為蘋果、輝達、AMD等高度依賴先進製程的客戶，提供清晰的技術升級路線圖。
