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「HBM之父」指HBF將成AI時代新戰場 大膽預測輝達將併購一家記憶體廠
出版時間：2025/11/12 10:50
【財經中心╱台北報導】集邦諮詢Trendforce指出，有「HBM之父」的金正浩預測，AI時代的權力正從GPU轉向記憶體，高頻寬快閃記憶體（HBF）將成為繼HBM（高頻寬記憶體）之後的新戰場。
金正浩是韓國科學技術院（KAIST）電機工程學系的教授，他被廣泛認為是將高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，HBM）從概念變為現實的關鍵人物。在HBM的多項關鍵技術領域，他做出創新研究，包括矽通孔（TSV）、中介層（interposer）、訊號線設計（SI）和電源線設計（PI）。
在YouTube 頻道節目中，他語出驚人表示：「在AI時代，權力天平正從GPU轉向記憶體。」他認為，記憶體將在AI時代扮演更加關鍵的角色，甚至預測輝達未來可能收購一家記憶體公司。
HBF技術最快將於2027年亮相
此外，他還強調高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash，HBF）的崛起，預計該技術將在2026年初取得新進展，並於2027至2028年間正式亮相。
IT之家引述報導指出，隨著傳統硬碟（HDD）產業艱難地向高成本的熱輔助磁記錄（HAMR）技術轉型，近線固態硬碟（Nearline SSD）正憑藉其成本效益成為熱門替代方案。
同時，HBF被視為突破AI叢集儲存容量瓶頸的關鍵技術。在AI推理時代，記憶體容量變得至關重要，其中鍵值快取（KV Caching）等技術直接影響AI模型的反應速度。因此，金正浩相信HBF將與HBM並駕齊驅，成為下一代主流記憶體技術。
HBF在容量及成本上具優勢
從概念上看，HBF與HBM有相似之處，兩者都利用矽通孔（TSV）技術來垂直堆疊多層晶片。但不同的是，HBF是基於NAND快閃記憶體構建，因此在容量和成本上具備顯著優勢。
金正浩強調，儘管NAND快閃記憶體速度慢於DRAM，但其容量可超過後者10倍。透過堆疊成百上千層，HBF能夠滿足AI模型的龐大儲存需求，堪稱「HBM的NAND版本」。
SanDisk與SK海力士已於今年8月簽署MOU，共同製定HBF技術規範並推動標準化，目標在2026年下半年發布HBF樣品，首批採用HBF的AI推理系統預計於2027年初問世。
未來GPU將整合HBM與HBF形成互補
在10月中旬舉行的2025年OCP全球高峰會上，SK海力士已率先展示其全新的「AIN Family」儲存產品系列，就包括採用HBF技術的AIN B系列。
展望未來，金正浩將AI的多層記憶體體係比喻為一座智慧圖書館，GPU內的SRAM是桌面筆記，速度最快但容量最小；HBM是旁邊的書架，用於快速訪問和計算；HBF則是地下書庫，負責儲存海量AI知識並持續為HBM輸送資料。
他預測，未來GPU將同時整合HBM與HBF，形成互補配置，代表著運算與儲存融合的新紀元。
