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分析｜HBM4驗證Q2完成　三星可望搶先量產！形成3強供應輝達格局

記者克里夫

發布 2026/02/13 12:40

#產業脈動

【記者蕭文康／台北報導】隨著AI基礎建設擴張，對應的GPU需求也不斷成長，預期NVIDIA Rubin平台量產後，將可望帶動HBM4需求。根據TrendForce最新HBM產業研究，目前3大記憶體原廠的HBM4驗證程序已進展至尾聲，預計於2026年第2季陸續完成。其中，三星憑藉最佳的產品穩定性，預期將率先通過驗證並商業化量產，SK 海力士、美光隨後跟上，可望形成3大廠供應NVIDIA HBM4的格局。

NVIDIA新一代Rubin平台帶動HBM4需求

TrendForce表示，隨著Inference AI應用場景擴大，市場對高效能儲存設備的需求攀升，尤其北美各大雲端服務業者(CSP)為搶占AI agent市場先機，自2025年底開始展現強勁拉貨力道。在CSP大舉投入AI server布建的情況下，NVIDIA對新一代Rubin平台的後市審慎樂觀，也有助於HBM4需求位元的成長前景。

然而，在記憶體的產能端，由於整體缺貨情況加劇，且HBM以外的conventional DRAM產品價格自2025年第4季起皆大幅上漲，HBM已不如以往具備絕對的獲利優勢，促使原廠調整HBM、conventional DRAM供給分配，以兼顧整體產值和所有客戶的需求。在此情境下，若NVIDIA僅依賴特定供應商，Rubin平台的需求恐難獲得滿足。

NVIDIA會將3大原廠皆納入HBM4的供應生態系。

從HBM供應商角度分析，考量GPU的需求穩定成長，且HBM設計複雜、驗證過程易有變數，原廠必須持續推進各世代產品進程，以免錯失後續商機。基於上述HBM4需求樂觀、特定供應商難以滿足Rubin需求，以及原廠須在各世代產品維持市占等3大因素，TrendForce預期，NVIDIA會將3大原廠皆納入HBM4的供應生態系。

進一步看各供應商驗證情況，三星進度最快，預計第2季完成後將開始逐季量產。SK海力士持續推進，且可望憑藉與NVIDIA既有的HBM合作基礎，在供應位元分配上保持優勢。Micron的驗證節奏儘管相對較緩，也料將在第2季完成。

三星宣布商用HBM4產品完成業界首次出貨

三星電子昨日也宣布，正式量產業界領先的商用HBM4產品，並完成業界首次出貨，在全球HBM4市場奠定領導地位。三星以其最先進的第六代10奈米級DRAM製程（1c），量產之初即實現穩定良率與業界頂尖效能，無需額外重新設計即順利完成。

三星電子執行副總裁暨記憶體開發負責人Sang Joon Hwang表示，有別於傳統採用既有驗證設計的路徑，三星引領創新，在HBM4上採用了1c DRAM和4奈米邏輯製程等最先進節點，憑藉製程競爭力與設計最佳化能力，確保充足的效能空間，在客戶需要時，就能滿足其不斷提升的高效能需求。

三星HBM4相較HBM3E最高針腳速度提升約1.22倍、頻寬增加2.7倍

三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46%，為HBM4效能樹立了全新基準。相較於前代產品HBM3E的最高針腳速度（pin speed）9.6Gbps，HBM4提升約1.22倍，還可進一步提升至13Gbps，有效紓解隨AI模型規模持續擴大所帶來的資料瓶頸問題。單一堆疊的總記憶體頻寬也較前代增加2.7倍，最高達到每秒3.3TB（TB/s）。三星HBM4採用12層堆疊技術，提供24GB至36GB容量。透過運用16層堆疊，容量選項可擴充至48GB，以配合客戶的時程需求。

為了應對資料I/O數量從1,024個增加至2,048個所帶來的功耗與散熱挑戰，三星在核心裸晶（core die）中整合了先進的低功耗設計解決方案。透過運用低電壓直通矽晶穿孔（TSV）技術與電源分佈網路（PDN）最佳化，HBM4相較於與HBM3E，在功耗效率提升了40%，熱阻改善10%，散熱效果提高30%。憑藉卓越效能、出色能源效率與產品可靠性，三星HBM4專為未來的資料中心環境所打造，協助客戶最大化GPU吞吐量，並有效優化整體擁有成本（TCO）。