廣告
DDR6開發競賽啟動 3大廠拚2028～2029商用化
【編譯于倩若／綜合外電】韓媒指各大記憶體製造商已經開始DDR6記憶體的初步開發，而上市時間可能大約還有2年左右。
📌 本文摘要重點
(AI 摘要說明)1 DDR6傳輸速率目標達17,600 MT/s，為DDR5上限的2倍。
2 業界傾向以CAMM2封裝取代DIMM，以突破高速傳輸物理限制。
3 DDR5已佔伺服器記憶體市場80%，預計年底提升至90%。
DDR6傳輸速率上看17,600 MT/s 將近是DDR5的2倍
韓媒《TheElec》報導，記憶體廠商已經要求載板供應商準備DDR6的設計方案。該報導指出，記憶體製造商與載板廠通常會在產品預計上市前約2年，就開始這類共同開發工作。目前JEDEC的DDR6標準仍尚未最終定案。
據悉，三星、美光（Micron）以及海力士（SK Hynix）等記憶體廠商，已經在使用部分設計資料進行研發，其中包含載板結構、記憶體厚度等相關細節。這項開發工作由記憶體標準制定機構JEDEC負責監督與協調。
DDR6的初版草案自2024年起就已存在，但在技術細節上仍相當有限，例如功耗範圍與電壓區間等關鍵規格尚未完整揭露。
預期DDR6將大幅突破傳輸速率上限，目標從8800 MT/s起跳，最高可擴展至驚人的17,600 MT/s，幾乎是目前DDR5規劃上限的2倍。
業界傾向以CAMM2取代DIMM 作為DDR6封裝方案
業界也逐漸傾向採用CAMM2技術取代DIMM作為DDR6封裝方案，因為傳統DIMM在這樣高速傳輸下可能會面臨物理上的限制。
此外也必須考慮目前全球DRAM短缺的情況，預計將延續至2030年。DDR5記憶體正被AI資料中心大量吸收，目前DDR5已佔伺服器記憶體市場約80%的市佔率，預計到今年底可能提升至90%。DDR6的導入，未來勢必會對市場結構帶來變化。
DDR6預計2028至2029年商用化 3大廠積極投入搶先上市
DDR6記憶體預計將在2028到2029年之間開始商用化，三星、美光與SK海力士都正積極投入，希望率先將產品推向市場。
