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記憶體產業「超級周期」能持續多久? 產業人士:至少可延續2~3年

出版時間:2026/01/27 16:10
財經 產業脈動
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圖為三星DRAM模組。取自官網 zoomin
圖為三星DRAM模組。取自官網
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【財經中心╱台北報導】隨著AI基礎設施建設如火如荼進行,也讓記憶體晶片供應緊張狀況可能比預期持續更長時間,至於供給短缺情況會持續多久?多位半導體行業資深人士發表相似的研判,很可能還會持續至少2到3年。

近年來,隨著巨額資金繼續投入資料中心基礎建設,市場對記憶體晶片的需求也達到前所未有的水準,半導體的價格更出現前所未有的漲勢,且可能不斷延續。

全球EDA和半導體IP領域的龍頭企業新思科技( Synopsys) 執行長加齊(Sassine Ghazi)受訪時表示,晶片「短缺」現象將在2026年和2027年持續下去。

記憶體價格上漲讓消費性電子已漲價

加齊表示,目前,全球頂尖廠商的大部分記憶體晶片「直接流向AI基礎設施,但許多其他產品也需要記憶體,如今這些其他市場因產能不足而陷入困境。」

他指出,三星、SK 海力士和美光作為全球最大的記憶體公司,雖然正致力於擴大生產,但要實現擴產目標,需要「至少」2年的時間,這也是這項短缺將持續下去的原因之一。

「現在對於記憶體業者來說是一個黃金時期,」加齊說,記憶體價格的上漲意味著消費電子廠商可能不得不考慮漲價,而這趨勢目前「已經在發生」。

一般而言,記憶體價格會經歷供應短缺或供應過剩的周期,這種周期決定這些組件的價格。然而,愈來愈多產業人士和分析師感受到,目前的記憶體正處於「超級周期」,換言之,供應短缺將持續比過去更長的時間,記憶體的漲價潮也會比過去持續更久、範圍更大。

圖為美光DDR5。取自官網 zoomin
圖為美光DDR5。取自官網

HBM市場複合成長率將達40%

美光科技在去年底發布2026財年第1季業績報告時就曾做出這樣的預測。美光表示,市場需求加上供應限制,導致記憶體市場供應緊張,預計這種情況將持續到2026年後。這意味著市場上漲周期至少會持續3年,甚至更久。

推動這趨勢的因素之一是HBM(高頻寬記憶體)晶片的強勁需求,美光預測,到2028年,HBM潛在市場複合年成長率將達40%,從2025年約350億美元成長到2028年的約1000億美元。同時,NAND的需求會跟隨HBM上漲,顯示目前的記憶體上升周期可能會從2024年持續到2028年。

布魯姆斯伯里情報與安全研究所(The Bloomsbury Intelligence and Security Institute)則指出,「全球記憶體市場正經歷一場結構性危機,原因是製造商將晶圓產能從DRAM重新分配到HBM晶片上,DRAM價格年增已達171%,DDR5現貨價格自去年9月來已翻了2倍。

這種情況會持續多久?記憶體價格可能在2027~2028年期間維持高檔,只有當新的製造設施量產時,價格才有可能部分恢復正常,如果隨著產能的擴張,AI需求放緩,可能到2028~2029年才會出現供應過剩的情況。

記憶體市場正經歷三重超級周期

產業分析公司IDC也強調半導體「超級周期」已經到來。他們表示,「在經歷2023年的調整和2024年的復甦後,2024年至2028年的長期半導體收入成長仍有望實現兩位數複合年增率。」

高盛和野村等投資機構也做出類似判斷,高盛在近期的調查報告中表示,自新年伊始,DDR5現貨價格大幅上漲,DDR4現貨價格自2024年9月開始上漲,目前仍呈上升趨勢。這意味著DRAM合約價格近期上漲動力強勁,原因是DDR5/DDR4 現貨價格已較合約價格產生巨大溢價。

高盛也預測,全球記憶體晶片巨頭三星今年DRAM平均定價將每季季增,尤其是第1季增幅可達50%。

野村在近期的報告中指出,全球記憶體市場正經歷前所未有的「三重超級周期」,預計在2026年,DRAM、NAND和HBM的需求將同時激增。野村判斷稱,在強勁的需求成長和有限的供應擴張下,這一超級周期將持續到2027年。

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