長鑫DRAM月產能拚2028年增至50萬片 2030年位元出貨市佔率近15%估超車美光躋身全球第3大
長鑫（CXMT）的DRAM月產能預計將從2025年的18萬片晶圓，增加至2028年的50萬片晶圓，其全球位元出貨量市占率到2030年將接近15%，並可能超越美光（Micron），成為全球第3大供應商。
長江存儲（YMTC）則可能在2028年前後躍升為全球第2大NAND供應商，市佔率最高可能達24%。
2028年後AI需求若放緩、中國記憶體擴產同步開出 供給過剩風險顯著升高
摩根士丹利最新報告指出，強勁的AI需求，以及2026至2027年HBM（高頻寬記憶體）對其他記憶體產品的「擠壓效應」，仍可吸收中國新增的記憶體產能；但2028年之後，如果需求成長放緩之際新增產能又同步開出，供給過剩風險將顯著升高。
中國記憶體製造商與傳統前3大業者在營運目標上的根本差異，將成為影響全球記憶體價格紀律的關鍵變數。
長鑫、長江存儲崛起不只是技術追趕 2028年前後產能規模恐改變全球記憶體供應結構
摩根士丹利指出，長鑫與長江存儲的崛起，不能單純視為「技術追趕」；真正的問題在於，兩者的產能規模可能在2028年前後成長到足以改變全球記憶體供應結構的程度。
報告分析，2026至2027年期間，強勁的AI需求，以及HBM排擠傳統記憶體產能，意味著中國新增的DRAM與NAND供應量仍可被市場消化。但到了2028年，隨著長鑫月產能朝50萬片晶圓邁進，加上長江存儲多座新晶圓廠開始進入量產爬坡階段，以及南韓三星電子與SK海力士，以及美光（Micron）先前啟動的擴產計畫同步開出產能，全球記憶體供需將面臨嚴峻考驗。
摩根士丹利估計長鑫第4代B製程良率超過90%
長鑫已於2026年第2季完成全面轉向第4代B製程，約相當於16奈米級製程，摩根士丹利估計其良率已超過90%。在產品方面，DDR5支援5600MHz，並計劃進一步提升至6400MHz。
摩根士丹利預估，長鑫月產能將從2025年的18萬片晶圓，增加至2026年的30萬片晶圓，約佔全球DRAM晶圓產能的13%，以及位元出貨量的約11%；到2028年將進一步增加至50萬片晶圓，2031年則可能達到80萬片晶圓。
