廣告
海力士砸1.8兆造NAND晶圓廠 CEO郭魯正揭明年動工、2029年上半年投產
【編譯于倩若／綜合外電】SK海力士（SK Hynix）執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）周四稍早表示，公司計劃在南韓投資100兆韓元（約2.28兆台幣），其中M17晶圓廠預計於明年動工，並於2029年上半年在南韓中部忠清地區投入營運。
根據規劃，SK海力士將投入80兆韓元（約1.82兆台幣）興建M17晶片製造廠，生產用於儲存裝置的NAND快閃記憶體；另投入20兆韓元建設P&T7廠，擴充先進晶片整合與封裝技術。
郭魯正在首爾以南城市牙山舉行的公開說明會上，說明SK海力士最新擴產計畫時表示：「隨著AI服務快速普及，HBM伺服器與DRAM，以及企業級SSD與NAND的需求持續攀升，這些投資正是為了滿足相關需求。」
HBM（高頻寬記憶體）是應用於AI系統的先進記憶體晶片；DRAM（動態隨機存取記憶體）則是電腦與伺服器使用的主要記憶體類型。企業級固態硬碟（Enterprise SSD）則是專為資料中心設計的儲存裝置。
郭魯正也指出，SK海力士母公司SK集團，計劃在擴大半導體生產基地的同時，於全國布局AI資料中心基礎設施。
他表示：「我們計劃分階段在全國建置AI資料中心，初期總容量將達5GW，最終擴大至15GW。」
這項宣布發布前幾天，南韓政府才於周一公布多項重大投資計畫，以推動國家AI發展，包括規劃由三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士合計投資800兆韓元，作為國家半導體生態系計畫的一部分。
SK海力士也預計於7月10日透過發行美國存託憑證（ADR），開始在那斯達克（Nasdaq）掛牌交易。
