本文大綱
Low NA EUV可使用性今年可望達95%
ASML強調，公司齊推各項新產品，將以完整、全方位微影技術 （Holistic Lithography）的產品組合，支持產業趨勢發展。
ASML台灣暨東南亞區客戶行銷主管徐寬成今在媒體科技教育交流會中指出，微影技術對3D整合至關重要，具備將晶圓對晶圓鍵合疊對精度（overlay）提升>10x。其中，在EUV方面，可協助晶片製造在關鍵層以最低成本進行線寬（CD）微縮。
Low NA EUV（NXE:3800E）：提升先進製程客戶的生產效率（productivity）和設備可用性(availability)，去年第4季可用性已達93.5%，預估今年可望達95%以上。
High NA EUV客戶有英特爾、IBM及三星
High NA EUV：具備更高成像品質與簡化流程（單次曝光）的優勢，目前各客戶驗證結果正面。
High NA EUV到今年9月已曝光的晶片達35萬片，目前使用High NA EUV客戶有英特爾、IBM及三星。最新型EXE:5200機台已在今年第2季已出貨給客戶。
DUV新推I-line系統（XT:260）跨入先進封裝後段領域
Immersion（NXT.2150i）& KrF（NXT:870B）：已出貨，協助晶片製造商以更低成本滿足大量DUV曝光需求。當中最新I-line系統（XT:260）：4倍曝光視場尺寸（exposure field size）大幅提高生產效率，支援先進封裝應用並已交付客戶，正式跨入先進封裝後段領域
電子束推進超過2000電子束的多光束檢測技術
在電子束檢測（e-Beam）方面：今年開始推出eScan2200，讓客戶搶先體驗超過2000電子束的多光束檢測技術的技術創新將推動整體產業長期成長，同時確保ASML能為客戶維持具成本效益的技術價值。
