聯電布局下世代高速通訊 今宣布取得imec iSiPP300矽光子技術授權、將推12吋矽光子平台
【記者蕭文康/台北報導】聯電(2303)布局下世代高速通訊再下一城!今(8)日宣布與全球領先的先進半導體技術創新研發中心imec簽署技術授權協議,取得imec iSiPP300矽光子製程,該製程具備共封裝光學(Co-Packaged Optics, CPO)相容性,將加速聯電矽光子技術發展藍圖。聯電強調,藉由此次授權合作,公司將推出12吋矽光子平台,以瞄準下世代高速連接應用市場。
聯電12吋矽光子平台於2026及2027年展開風險試產
聯電表示,隨著AI數據負載日益增加,傳統銅互連面臨瓶頸,矽光子技術以光傳輸數據,正快速發展以滿足資料中心、高效能運算及網路基礎設施對超高頻寬、低延遲及高能源效率的需求,聯電將結合imec經驗證的12吋矽光子製程技術、加上自身在絕緣層上覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI)晶圓製程的專業,以及過往8吋矽光子量產經驗,為客戶提供高度可擴展的光子晶片(Photonic Integrated Circuits, PIC)平台。
聯電資深副總經理洪圭鈞指出,很高興取得imec最先進的矽光子製程技術授權,這將加速聯電12吋矽光子平台的發展進程,聯電正與多家新客戶合作,預計在此平台上提供用於光收發器的光子晶片,並於2026及2027年展開風險試產。
imec 12吋晶圓上採用先進CMOS製程實現矽光子大幅提升效能
此外,結合多元的先進封裝技術,聯電在未來系統架構將朝共封裝光學與光學I/O等更高整合度的方向邁進,為資料中心內部及跨資料中心提供高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。
IC-Link by imec副總裁Philippe Absil說,過去10年,imec證明了在12吋晶圓上採用先進的CMOS製程來實現矽光子,可大幅提升效能。
imec的iSiPP300平台具備極為精巧且高效能的元件,包括微環型調變器,以及鍺矽(GeSi)電致吸收調變器(EAM),並搭配多樣化低損耗光纖介面及3D封裝模組。IC-Link by imec長期與半導體產業密切合作,確保最先進的技術能順利導入產品製造,此次與聯電的合作正是imec協同創新的最佳體現,將有助於把尖端矽光子解決方案推向更廣泛市場,加速下世代運算系統的導入。
